Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen
Simulation mit PSPICE
Seiten
2019
|
2., erw. Aufl. 2019
Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH (Verlag)
978-3-658-26573-1 (ISBN)
Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH (Verlag)
978-3-658-26573-1 (ISBN)
Zu diesem Artikel existiert eine Nachauflage
Ergänzend zu Vorlesung, zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE-Modellparametern ausgewählter Halbleiterbauelemente vorgestellt. Für Bauelemente aus der DEMO-Version des Programms OrCAD-PSPICE wird aufgezeigt, wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit SPICE-Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird vorgestellt für Schaltdiode, Kapazitätsdiode, Z-Diode, npn-Bipolartransistor, N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, CMOS-Array-Transistoren, Operationsverstärker und Optokoppler.
Prof. (em.) Dr.-Ing. habil. Peter Baumann ist Lehrbeauftragter für das Modul Ausgewählte Kapitel der Elektrotechnik an der Hochschule Bremen.
Halbleiterdioden.- Bipolartransistoren.- Sperrschicht-Feldeffekttransistoren.- Mos-Feldeffekttransisotoren.- Leistungs-Mos-Feldeffekttransistor.- Operationsverstärker.- Optokoppler.-NTC- und PTC-Sensoren.-RGB-Farbsensor.-Piezoelektrische Summer.-Ultraschallwandler.
Erscheinungsdatum | 28.11.2019 |
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Zusatzinfo | XI, 187 S. 194 Abb. |
Verlagsort | Wiesbaden |
Sprache | deutsch |
Maße | 168 x 240 mm |
Gewicht | 347 g |
Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
Schlagworte | Bauelement • Bipolartransistor • Buch • Diode • Elektronik • Elektrotechnik • Feldeffekttransistor • FET • Halbleiter • Halbleiterdiode • Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor • MOS-Feldeffekttransistor • MOS-FET • Operationsverstärker • Optokoppler. • OrCAD-PSPICE • Sperrschicht-Feldeffekttransistor • Sperrschicht-Feldeffekttransistoren • SPICE-Modellparameter • Transistor |
ISBN-10 | 3-658-26573-6 / 3658265736 |
ISBN-13 | 978-3-658-26573-1 / 9783658265731 |
Zustand | Neuware |
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