Bias Temperature Instability for Devices and Circuits
Seiten
2016
|
Softcover reprint of the original 1st ed. 2014
Springer-Verlag New York Inc.
978-1-4939-5529-9 (ISBN)
Springer-Verlag New York Inc.
978-1-4939-5529-9 (ISBN)
This book provides a single-source reference to one of the more challenging reliability issues plaguing modern semiconductor technologies, negative bias temperature instability. Readers will benefit from state-of-the art coverage of research in topics such as time dependent defect spectroscopy, anomalous defect behavior, stochastic modeling with additional metastable states, multiphonon theory, compact modeling with RC ladders and implications on device reliability and lifetime.
Introduction.- Characterization, Experimental Challenges.- Advanced Characterization.- Characterization of Nanoscale Devices.- Statistical Properties/Variability.- Theoretical Understanding.- Possible Defects: Experimental.- Possible Defects: First Principles.- Modeling.- Technological Impact.- Silicon dioxides/SiON.- High-k oxides.- Alternative technologies.- Circuits.
Erscheinungsdatum | 02.10.2016 |
---|---|
Zusatzinfo | 318 Illustrations, color; 283 Illustrations, black and white; XI, 810 p. 601 illus., 318 illus. in color. |
Verlagsort | New York |
Sprache | englisch |
Maße | 155 x 235 mm |
Themenwelt | Technik ► Bauwesen |
Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik | |
Technik ► Maschinenbau | |
Schlagworte | Metastable Defects in Semiconductor Devices • Nanoscale MOSFETs • Negative Bias Temperature Instability • Semiconductor Device Lifetime • Semiconductor Device Reliability • Stochastic Behavior in Semiconductor Devices |
ISBN-10 | 1-4939-5529-2 / 1493955292 |
ISBN-13 | 978-1-4939-5529-9 / 9781493955299 |
Zustand | Neuware |
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