Photostrom-Spektroskopie von Silicium

Das vorliegende Buch dokumentiert umfassende experimentelle und theoretische Untersuchungen zur Injektionsabh¿igkeit von Photo¿strom-Messungen. Die Injektionsabh¿igkeit der Ladungstr¿r¿le¿bens¿dauer von Eisen-kontaminierten bordotierten Siliciumproben wurde mit dem konventionellen Elymat-Verfahren experimentell ermit¿telt und durch zweidimensionale Simulationen verifiziert. Die dabei gewonnenen Ergebnisse sind von grundlegender Bedeutung f¿r die ebenfalls erfolgte Charakterisierung von Isolator/Silicium-Strukturen mit einem modifizierten Elymat-Verfahren. Erstmals ist es mit dieser Messmethode gelungen, die Grenzfl¿enzustandsdichte und die Isolatorvolumenladung quantitativ zu bestimmen. Das Buch richtet sich an Ingenieure und Physiker aus dem Gebiet der Halbleiterphysik und -messtechnik.