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III-V Microelectronics
Elsevier Science Ltd (Verlag)
978-0-444-88990-4 (ISBN)
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Basic physical mechanisms (J.P. Nougier). Epitaxy of wide band gap III-V materials by MOVPE and MBE (M. Heuken). Device simulation (C.U. Naldi, G. Ghione). Characterisation of mismatched epitaxial layers grown by metal-organic vapour phase epitaxy (A. Gustafsson). Noise devices: Definition, modelling (J.P. Nougier). Field effects transistors modeling and performance (Y. Crosnier, G. Salmer). Technology for III/V-Semiconductor HFET devices (W. Prost). Monolithic integrated circuit modelling (M.J. Howes). Millimetre-wave devices (J. Freyer). Heterojunction bipolar transistors: Technology, perormance and applications (A.J. Holden). Optoelectronic and photonic integrated circuits: Modelling and technology (R. Baets, P. Van Daele). Author index. Subject index.
Reihe/Serie | European Materials Research Society Series ; v. 2 |
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Verlagsort | Oxford |
Sprache | englisch |
Themenwelt | Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Festkörperphysik |
Technik ► Maschinenbau | |
ISBN-10 | 0-444-88990-6 / 0444889906 |
ISBN-13 | 978-0-444-88990-4 / 9780444889904 |
Zustand | Neuware |
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