Hybrid-Gasphasenepitaxie zur Herstellung von Aluminiumgalliumnitrid
Seiten
2015
|
1., Aufl.
Cuvillier Verlag
978-3-95404-985-1 (ISBN)
Cuvillier Verlag
978-3-95404-985-1 (ISBN)
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Diese Arbeit zeigt, wie die epitaktische Abscheidung von AlGaN-Schichten im gesamten Kompositionsbereich mittels Hydrid-Gasphasenepitaxie (HVPE) realisiert wird.
Die Optimierung eines für die Abscheidung verwendeten Quarzglasreaktors und das AlGaN-Wachstum durch ein quasi-thermodynamisches Modell werden detailliert beschrieben. Eine entscheidende Verbesserung der AlGaN-Materialqualität wird durch das Verfahren des epitaktisch lateralen Überwachsens strukturierter Substrate sowie durch Parameterstudien zum Substratfehlschnitt, Gesamtdruck und V/III-Verhältnis erreicht.
Die Untersuchung struktureller und optischer Eigenschaften des abgeschiedenen Materials zeigt, dass die HVPE ein geeignetes Verfahren ist, um dicke, einheitlich orientierte, transparente AlGaN-Schichten herzustellen.
Die Optimierung eines für die Abscheidung verwendeten Quarzglasreaktors und das AlGaN-Wachstum durch ein quasi-thermodynamisches Modell werden detailliert beschrieben. Eine entscheidende Verbesserung der AlGaN-Materialqualität wird durch das Verfahren des epitaktisch lateralen Überwachsens strukturierter Substrate sowie durch Parameterstudien zum Substratfehlschnitt, Gesamtdruck und V/III-Verhältnis erreicht.
Die Untersuchung struktureller und optischer Eigenschaften des abgeschiedenen Materials zeigt, dass die HVPE ein geeignetes Verfahren ist, um dicke, einheitlich orientierte, transparente AlGaN-Schichten herzustellen.
Erscheint lt. Verlag | 20.5.2015 |
---|---|
Reihe/Serie | Innovationen mit Mikrowellen und Licht ; 33 |
Sprache | deutsch |
Einbandart | Paperback |
Themenwelt | Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Elektrodynamik |
Schlagworte | AlGaN-Schichten • Aluminiumgalliumnitrid • Hybrid-Gasphasenepitaxie |
ISBN-10 | 3-95404-985-6 / 3954049856 |
ISBN-13 | 978-3-95404-985-1 / 9783954049851 |
Zustand | Neuware |
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