Silizium-Halbleitertechnologie

Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik
Buch | Softcover
XIII, 338 Seiten
2008 | 5., erg. u. erw. Aufl. 2008
Vieweg & Teubner (Verlag)
978-3-8351-0245-3 (ISBN)

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Silizium-Halbleitertechnologie - Ulrich Hilleringmann
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Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 10 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Der 5. Auflage wurde 'Atomic Layer Deposition' hinzugefügt, das Kapitel zur PECVD-Abscheidung wurde ergänzt und High-k-Dielektrika in Herstellung und Anwendung wurden zusätzlich eingearbeitet.

Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann ist Leiter des Fachgebietes Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie, Messtechnik, Sensorik und Prozessmesstechnik.

Herstellung von Siliziumscheiben - Oxidation des dotierten Siliziums - Lithografie - Ätztechnik - Dotiertechniken - Depositionsverfahren - Metallisierung und Kontakte - Scheibenreinigung - MOS-Technologien zur Schaltungsintegration - Erweiterungen zur Höchstintegration - Bipolar-Technologie - Montage integrierter Schaltungen - Atomic Layer Deposition

Erscheint lt. Verlag 27.5.2008
Reihe/Serie Studium
Zusatzinfo XIII, 338 S. Mit 37 Aufgaben mit Lös.
Verlagsort Wiesbaden
Sprache deutsch
Maße 148 x 210 mm
Gewicht 495 g
Themenwelt Technik Elektrotechnik / Energietechnik
Schlagworte 10 nm • anwendungsnaher • anwendungsnahes • apparativ • apparative • Atomic • Atomic Layer Deposition • Ätzen • Ätzschritt • Ätztechnik • Ätztechnologie • Ätztechnologien • Ätzung • Ausstattung • Berufsakademie • Bipol • Bipolar • bipolarer • bipolares • Bipolarschaltung • Bipolarschaltungen • Bipolartechnik • Bipolar-Technologie • BranchenIndex Online • Chipherstellung • Deposition • Depositionsverfahren • Dielektrika • Dielektrikum • dotiert • Dotiertechnik • Dotiertechniken • dotierter • dotiertes • Dotierung • Dotierungstechnik • Dotierungstechniken • Dotierungstechnologien • driveIT • Durchführungen • Einzelprozess • elektronische • elektronisches • gekapselt • gleichmäßig • Halbleiter • Halbleiterei • Halbleitertechnologie • Halbleitertechnologien • Hardware • Herstellung • High-K • High-k-Dielektrika • High-k-Dielektrikum • Höchstintegration • Implantation • Implantationen • Integrationstechnik • Integrationstechniker • integrierter • Kontakt • Kontakte • Layer • Lithografie • Messtechnik • Metallisierung • mikroelektronisch • mikroelektronischer • Mikrosystemtechnik • Montagetechnik • MOS • MOS-Schaltung • MOS-Schaltungen • MOS-Technologie • MOS-Technologien • nanometer • nm • Optische Lithografie • optischer • Oxidation • Oxidationen • PECVD • PECVD-Abscheidung • PECVD-Abscheidungen • Prozess • Prozesse • R&D • R&D • reproduzierbar • reproduzierbares • Rohsilizium • Scheibenreinigung • Sensoren • Sensorik • Siemens • Silicium • Silicium / Silizium • Silizium • Silizium-Halbleitertechnologie • Siliziumscheiben • Strukturgröße • System • Systeme • Systemingenieur • Techniker • technischer • Technisches • Technologie • Technologieberatung • Technologien • Theorie • VDE • ZVEI
ISBN-10 3-8351-0245-1 / 3835102451
ISBN-13 978-3-8351-0245-3 / 9783835102453
Zustand Neuware
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