Silizium-Halbleitertechnologie
Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik
Seiten
2008
|
5., erg. u. erw. Aufl. 2008
Vieweg & Teubner (Verlag)
978-3-8351-0245-3 (ISBN)
Vieweg & Teubner (Verlag)
978-3-8351-0245-3 (ISBN)
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Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 10 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Der 5. Auflage wurde 'Atomic Layer Deposition' hinzugefügt, das Kapitel zur PECVD-Abscheidung wurde ergänzt und High-k-Dielektrika in Herstellung und Anwendung wurden zusätzlich eingearbeitet.
Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann ist Leiter des Fachgebietes Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie, Messtechnik, Sensorik und Prozessmesstechnik.
Herstellung von Siliziumscheiben - Oxidation des dotierten Siliziums - Lithografie - Ätztechnik - Dotiertechniken - Depositionsverfahren - Metallisierung und Kontakte - Scheibenreinigung - MOS-Technologien zur Schaltungsintegration - Erweiterungen zur Höchstintegration - Bipolar-Technologie - Montage integrierter Schaltungen - Atomic Layer Deposition
| Erscheint lt. Verlag | 27.5.2008 |
|---|---|
| Reihe/Serie | Studium |
| Zusatzinfo | XIII, 338 S. Mit 37 Aufgaben mit Lös. |
| Verlagsort | Wiesbaden |
| Sprache | deutsch |
| Maße | 148 x 210 mm |
| Gewicht | 495 g |
| Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
| Schlagworte | 10 nm • anwendungsnaher • anwendungsnahes • apparativ • apparative • Atomic • Atomic Layer Deposition • Ätzen • Ätzschritt • Ätztechnik • Ätztechnologie • Ätztechnologien • Ätzung • Ausstattung • Berufsakademie • Bipol • Bipolar • bipolarer • bipolares • Bipolarschaltung • Bipolarschaltungen • Bipolartechnik • Bipolar-Technologie • BranchenIndex Online • Chipherstellung • Deposition • Depositionsverfahren • Dielektrika • Dielektrikum • dotiert • Dotiertechnik • Dotiertechniken • dotierter • dotiertes • Dotierung • Dotierungstechnik • Dotierungstechniken • Dotierungstechnologien • driveIT • Durchführungen • Einzelprozess • elektronische • elektronisches • gekapselt • gleichmäßig • Halbleiter • Halbleiterei • Halbleitertechnologie • Halbleitertechnologien • Hardware • Herstellung • High-K • High-k-Dielektrika • High-k-Dielektrikum • Höchstintegration • Implantation • Implantationen • Integrationstechnik • Integrationstechniker • integrierter • Kontakt • Kontakte • Layer • Lithografie • Messtechnik • Metallisierung • mikroelektronisch • mikroelektronischer • Mikrosystemtechnik • Montagetechnik • MOS • MOS-Schaltung • MOS-Schaltungen • MOS-Technologie • MOS-Technologien • nanometer • nm • Optische Lithografie • optischer • Oxidation • Oxidationen • PECVD • PECVD-Abscheidung • PECVD-Abscheidungen • Prozess • Prozesse • R&D • R&D • reproduzierbar • reproduzierbares • Rohsilizium • Scheibenreinigung • Sensoren • Sensorik • Siemens • Silicium • Silicium / Silizium • Silizium • Silizium-Halbleitertechnologie • Siliziumscheiben • Strukturgröße • System • Systeme • Systemingenieur • Techniker • technischer • Technisches • Technologie • Technologieberatung • Technologien • Theorie • VDE • ZVEI |
| ISBN-10 | 3-8351-0245-1 / 3835102451 |
| ISBN-13 | 978-3-8351-0245-3 / 9783835102453 |
| Zustand | Neuware |
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