Halbleiter-Leistungsbauelemente

Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit

(Autor)

Buch | Hardcover
XIV, 419 Seiten
2006
Springer Berlin (Verlag)
978-3-540-34206-9 (ISBN)

Lese- und Medienproben

Halbleiter-Leistungsbauelemente - Josef Lutz
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Halbleiter-Leistungsbauelemente sind das Kernstück der Leistungselektronik. Sie bestimmen die Leistungsfähigkeit und machen neuartige und verlustarme Schaltungen erst möglich. Für deren Anwendung sind nicht nur die Vorgänge im Halbleiter, sondern auch thermische und mechanische Eigenschaften wesentlich. Daher beinhaltet dieses Buch zusätzlich die Aufbau- und Verbindungstechnik. Über 250 Abbildungen veranschaulichen die anspruchsvolle Materie.

Professor Josef Lutz studierte Physik an der Universität Stuttgart, ab 1983 arbeitete er bei Semikron Elektronik in Nürnberg. Arbeitsschwerpunkte waren zuerst die Entwicklung von GO-Thyristoren, dann die Entwicklung von schnellen Dioden. Er führte die Controlled Axial Lifetime (CAL) Diode ein und hält eine Reihe Patente im Gebiet schneller Dioden. 1999 promovierte er in Elektrotechnik an der Univesität Ilmenau. Seit August 2001 ist er Professor für Leistungselektronik und elektromagnetische Verträglichkeit an der TU Chemnitz. Er ist Mitglied des Vorstandes des Zfm, des International Steering Committee der EPE, des Fachbeirats der PCIM und des Programmkomitees der ISPS. 2005 wurde er von der nordkaukasischen technischen universität Stavropol zum Ehrenprofessor ernannt.

Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente Grundlagen.- Halbleiterbauelemente.- Aufbau- und Verbindungstechnik von Leistungsbauelementen.- Zerstörungsmechanismen in Leistungsbauelementen.- Durch Bauelemente verursachte Schwingungseffekte und elektromagnetische Störungen.- Leistungselektronische Systeme.- Anhang.- Literaturverzeichnis.- Sachverzeichnis.

Sprache deutsch
Maße 155 x 235 mm
Gewicht 755 g
Einbandart gebunden
Themenwelt Technik Elektrotechnik / Energietechnik
Schlagworte Bipolare Transistoren • Halbleiter • Halbleiterbauelemente • Halbleiterphysik • Halbleiterphysikalische Grundlagen • Herstellungstechnologie • IGBTs • MOSFET • MOS Transistoren • pn-Übergänge • Robustheit • Schnelle Dioden • Schottky-Dioden • Schwingungseffekte • SiC Bauelemente • Superjunction Bauelemente • Systemintegration • Thyristoren • Zuverlässigkeit
ISBN-10 3-540-34206-0 / 3540342060
ISBN-13 978-3-540-34206-9 / 9783540342069
Zustand Neuware
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