Strain in Heavily Doped Ge(x)SI(x) Epitaxial Layers and Its Effect on the Indirect Band Gap of These Layers
Seiten
1989
AEA Technology (Verlag)
978-0-7058-1561-1 (ISBN)
AEA Technology (Verlag)
978-0-7058-1561-1 (ISBN)
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| Erscheint lt. Verlag | 31.12.1989 |
|---|---|
| Reihe/Serie | Reports S. |
| Zusatzinfo | illustrations; tables |
| Verlagsort | Didcot |
| Sprache | englisch |
| Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
| ISBN-10 | 0-7058-1561-7 / 0705815617 |
| ISBN-13 | 978-0-7058-1561-1 / 9780705815611 |
| Zustand | Neuware |
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