GaN and SiC Power Devices (eBook)

From Fundamentals to Applied Design and Market Analysis
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2024 | 1st ed. 2024
XV, 264 Seiten
Springer Nature Switzerland (Verlag)
978-3-031-50654-3 (ISBN)

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GaN and SiC Power Devices - Maurizio Di Paolo Emilio
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This book provides a single-source reference for any reader requiring basic and advanced information on wide bandgap semiconductors and related design topics. Focusing on practicability, it explains the principles of GaN and SiC semiconductors, manufacturing, characterization, market and design for key applications.



Maurizio Di Paolo Emilio is Editor in Chief of Power Electronics News and EEWeb, and an EE Times correspondent. He holds a Ph.D in physics and is a telecommunications engineer. He has worked on projects concerning gravitational waves research, designing a thermal compensation system (TCS) and data acquisition and control systems, and on others about x-ray microbeams in collaboration with Columbia University and motor control for space with INFN. TCS was applied to the Virgo and LIGO experiments, which detected gravitational waves for the first time and earned the Nobel Prize in 2017.

Erscheint lt. Verlag 1.2.2024
Reihe/Serie Synthesis Lectures on Engineering, Science, and Technology
Synthesis Lectures on Engineering, Science, and Technology
Zusatzinfo XV, 264 p. 47 illus., 41 illus. in color.
Sprache englisch
Themenwelt Technik Elektrotechnik / Energietechnik
Technik Maschinenbau
Schlagworte Circuit design in Power Electronics • Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Devices • power management • Vertical GaN and SiC Power Devices • Wide Bandgap Semiconductors for Power Electronics
ISBN-10 3-031-50654-5 / 3031506545
ISBN-13 978-3-031-50654-3 / 9783031506543
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