Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen
Simulation mit PSPICE
Seiten
2024
|
4. Auflage
Springer Vieweg (Verlag)
978-3-658-43820-3 (ISBN)
Springer Vieweg (Verlag)
978-3-658-43820-3 (ISBN)
- Statische und dynamische elektrische Modellparameter mit SPICE-Analysen zurück gewinnen
- Ergänzung zum Laborpraktikum Simulationswerkzeug für den Elektronikentwickler
- Simulationswerkzeug für den Elektronikentwickler
Ergänzend zu Vorlesung, zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE-Modellparametern ausgewählter Halbleiterbauelemente vorgestellt.
Für Bauelemente aus der DEMO-Version des Programms ORCAD-PSPICE wird aufgezeigt, wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit PSPICE-Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird ausgeführt für Schaltdiode, Kapazitätsdiode, npn-Bipolartransistor, N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, CMOS-Array-Transistoren, Operationsverstärker und Optokoppler.
In einem neuen Abschnitt werden Streuparameter-Analysen zum bipolaren HF-Transistor vorgenommen.
Behandelt wird ferner die Ermittlung der Modellparameter von Sensoren zur Erfassung von Temperatur, Licht, Feuchte, Kraft, Schall, Gaskonzentration und pH-Wert.
Das abschließende neue Kapitel widmet sich der Parameterextraktion von multikristallinen, monokristallinen und Dünnschicht-Silizium-Solarzellen.
Prof. Dr.-Ing. habil. Peter Baumann arbeitete als Entwicklungsingenieur im Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), als Dozent an der Ingenieurhochschule Mittweida und als Professor an der Westsächsischen Hochschule Zwickau. An der Hochschule Bremen war er als Lehrbeauftragter für Sensorschaltungen tätig.
Halbleiterdioden
Bipolartransistoren
HF-Transistoren mit StreuparameternMOS-Feldeffekttransisotoren
Sperrschicht-Feldeffekttransistoren
Leistungs-Mos-Feldeffekttransistor
Operationsverstärker
Optokoppler
NTC- und PTC-Sensoren
RGB-Farbsensor
Piezoelektrische Summer
Ultraschallwandler
Gassensoren
Ionensensitiver Feldeffekttransistor
Silizium-Solarzellen
Erscheinungsdatum | 10.05.2024 |
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Zusatzinfo | Illustrationen |
Verlagsort | Wiesbaden |
Sprache | deutsch |
Maße | 168 x 240 mm |
Einbandart | kartoniert |
Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
Schlagworte | Bauelement • Bipolartransistor • Buch • Diode • Elektronik • Elektrotechnik • Feldeffekttransistor • FET • Halbleiter • Halbleiterdiode • Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor • MOS-Feldeffekttransistor • MOS-FET • Operationsverstärker • Optokoppler. • OrCAD-PSPICE • Sperrschicht-Feldeffekttransistor • Sperrschicht-Feldeffekttransistoren • SPICE-Modellparameter • Transistor |
ISBN-10 | 3-658-43820-7 / 3658438207 |
ISBN-13 | 978-3-658-43820-3 / 9783658438203 |
Zustand | Neuware |
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