Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen
Seiten
2023
Verlag Unser Wissen
978-620-6-43378-1 (ISBN)
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Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante und geeignete Substrate werden im Hinblick auf ihre Verwendung im VLSI-Design intensiv untersucht. Hafniumoxid (HfO2) ist ein vielversprechender Kandidat für die nächste Generation von Gate-Dielektrika, da es eine relativ hohe Dielektrizitätskonstante 25, eine große Bandlücke, gute thermische Stabilität und eine relativ hohe freie Reaktionsenergie mit dem Substratmaterial aufweist. In jüngster Zeit haben elektronische Bauelemente auf Ge-Basis wieder beträchtliche Aufmerksamkeit erlangt, und Ge kann Lösungen für wichtige Probleme bieten, mit denen die Si-Technologie für fortschrittliche CMOS-Bauelemente konfrontiert ist; dies ist hauptsächlich auf die höhere Mobilität sowohl der Löcher als auch der Elektronen im Ge-Substrat zurückzuführen. Daher ist dieses Buch für die Leser nützlich, um einige wichtige Themen der Ge-Technologie für Hochfrequenz-Bauelemente zu kennen.
T.V.Rajesh, Deakin Universität, Australien. Er hat zwei internationale Arbeiten veröffentlicht. Dr.S.V.Jagadeesh Chandra, Professor für LBRCE, Mylavaram. Er hat 1 Buch und 35 wissenschaftliche Artikel in Fachzeitschriften veröffentlicht. Dr. CH.V.V.Ramana, Außerordentlicher Professor am CECC, Chirala. Er hat 4 Bücher, 1 Buchkapitel und 40 wissenschaftliche Artikel in Fachzeitschriften veröffentlicht.
Erscheinungsdatum | 13.09.2023 |
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Sprache | deutsch |
Maße | 152 x 229 mm |
Gewicht | 118 g |
Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
Schlagworte | Dünnschichten • Ge • HfO2 • Hoch-K-Gate-Dielektrikumsschichten • Metall-Oxid-Halbleiter (MOS)-Bauelemente |
ISBN-10 | 620-6-43378-1 / 6206433781 |
ISBN-13 | 978-620-6-43378-1 / 9786206433781 |
Zustand | Neuware |
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