Die Entwicklung der auf Galliumnitrid-Halbleitern basierenden Technologie

III-Nitrid-Halbleiter, insbesondere die auf GaN basierenden Materialien, einschließlich des binären GaN und verwandter Legierungen mit InN und AlN, wie das ternäre AlGaN und InGaN sowie das quaternäre InAlGaN, wurden in den letzten Jahren wegen ihrer potenziellen Anwendungen für optoelektronische Geräte, die im kurzwelligen Spektralbereich arbeiten, und für elektronische Geräte mit hoher Leistung und hoher Temperatur intensiv untersucht. Materialien auf GaN-Basis eignen sich aufgrund ihrer einzigartigen Eigenschaften, die eine breite und direkte Bandlücke, hohe Absorptionskoeffizienten und einen scharfen Cutoff für die Wellenlängenerkennung umfassen, auch ideal für die Herstellung von hochempfindlichen und sichtbaren blinden UV-Detektoren. Die hohe Durchbruchsspannung und die hohe Sättigungsgeschwindigkeit ermöglichen auch den Einsatz von GaN-basierten Materialien für Hochgeschwindigkeitsgeräte und Hochleistungsanwendungen, wie z. B. Leistungsverstärker für drahtlose Basisstationen, rauscharme Verstärker und leistungsstarke Schalter. Eine weitere wichtige Anwendung der GaN-Materialien sind Sensorvorrichtungen, insbesondere in rauen Umgebungen aufgrund der hohen thermischen und chemischen Stabilität dieser Materialien.