Korrelation von Materialqualität und Ausfallmechanismen leistungselektronischer SiC-Bauelemente
Seiten
2023
Fau University Press (Verlag)
978-3-96147-619-0 (ISBN)
Fau University Press (Verlag)
978-3-96147-619-0 (ISBN)
Ziel dieser Arbeit war es, eine Korrelation der Siliciumcarbid (SiC) Materialqualität mit Ausfallmechanismen leistungselektronischer 4H-SiC Trench-MOSFET Bauelemente herzustellen. Dafür wurden homo-epitaktische, n-leitende SiC-Schichten abgeschieden. Diese Schichten wurden anschließend mit konfokaler DIC-Mikroskopie und UV-PL Methoden hinsichtlich ihrer Defekte charakterisiert. Die so charakterisierten Epitaxie-Wafer wurden zur Herstellung von leistungselektronischen Trench-MOSFET Bauelementen verwendet. Nach der Prozessierung wurden die Bauelemente elektrisch charakterisiert. Elektrische Ausbeute-Maps wurden anschließend mit den während der Prozessierung aufgenommenen Defektdaten überlagert und mit entsprechenden Defektklassen abgeglichen. Abschließende Untersuchungen an diesen charakterisierten Bauelementen dienten zur Analyse der Langzeitstabilität und Zuverlässigkeit.
Erscheinungsdatum | 23.02.2023 |
---|---|
Reihe/Serie | FAU Studien aus der Elektrotechnik ; 18 |
Verlagsort | Erlangen |
Sprache | deutsch |
Maße | 170 x 240 mm |
Gewicht | 645 g |
Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
Schlagworte | Defekt • Elektronisches Bauelement • Halbleitertechnologie • Homoepitaxie • Materialcharakterisierung • Photolumineszenz • Siliciumcarbid |
ISBN-10 | 3-96147-619-5 / 3961476195 |
ISBN-13 | 978-3-96147-619-0 / 9783961476190 |
Zustand | Neuware |
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