Elektrolumineszenz von Gate-gesteuerten Silizium und Siliziumkarbid Leistungstransistoren und ihre Nutzbarkeit in Anwendungen der Leistungselektronik

In Analogie zu gewöhnlichen Leuchtdioden, können auch pn-Übergänge in gängigen Leistungshalbleiterbauelementen Licht emittieren.
Diese Arbeit beinhaltet Studien über die Eigenschaften der Lichtemission von Silizium und Siliziumkarbid Leistungshalbleiterbauelementen mit Fokus auf Dioden, MOSFETs sowie IGBTs: Es wird gezeigt, wie die durch Injektion hervorgerufene Elektrolumineszenz von vorwärts betriebenen pnÜbergängen in der Leistungselektronik zur Strommessung, Totzeitregelung oder zur Bestimmung der Sperrschichttemperatur genutzt werden kann.