Untersuchungen zur Reihenschaltung von 4,5-kV-Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Modulen

Die Arbeit beschäftigt sich mit der Reihenschaltung von Insulated Gate Bipolar Transistor Modulen. Es werden der Schaltvorgang erklärt und existierende Symmetrierverfahren zur Spannungssymmetrierung vorgestellt. In theoretischen und praktischen Untersuchungen wird ein Verfahren zur Spannungssymmetrierung der IGBT's mittels Schaltsignalverzögerung abgeleitet und experimentell verifiziert. Des Weiteren wird ein neuartiges Verfahren zur Symmetrierung der IGBT'S und Dioden mittels Symmetrierpuls entwickelt und ebenfalls in praktischen Experimenten vorgestellt.