Geregelte Ansteuerung von Insulated Gate Bipolar Transistoren (IGBT)

Das Ziel dieser Arbeit ist die Entwicklung eines Verfahrens, mit dem die IGBT im Frequenzumrichter geregelt angesteuert werden können. Dieses Verfahren soll die konventionelle Ansteuerung ersetzen, wobei folgende Bedingungen gelten:

• Der Spannungsgradient dUCE/dt soll unabhängig von der Einstellung des Stromgradienten geregelt werden, wobei der Sollwert vom Anwender frei eingestellt werden kann.
• Der Stromgradient dIC/dt soll geregelt werden, wobei der Sollwert wiederum unabhängig von dem Spannungsgradienten vom Anwender frei festgelegt werden kann.
• Die Schaltung muss integrierbar sein und die Anzahl externer (hochspannungsfester) Bauelemente so gering wie möglich gehalten werden. Diese dürfen keine wesentliche Verlustleistung erzeugen.
• Das Verfahren sollte möglichst für jeden IGBT geeignet sein.