The Physics of Semiconductor Devices (eBook)
LVII, 1299 Seiten
Springer International Publishing (Verlag)
978-3-319-97604-4 (ISBN)
Enhanced Photodetection in Visible Region in rGo/GaN Based Hybrid Photodetector.- ZigZag Phosphorene Nanoribbons Antidot – Electronic structure and Device Application.- Calculation of Quantum Capacitance and Sheet Carrier Density of Graphene FETs.- Effect of Back Gate Voltage on Double Gate Single Layer Graphene Field-Effect Transistor with Improved ION.- Effects of chemical functionalization on single-walled carbon nanotubes by mild hydrogen peroxide for PV applications.- Effect of tip induced strain on nanoscale electrical properties of MoS2-Graphene heterojunctions.- Optimization of the concentration of molybdenum disulfide (MoS2) for formation of atomically thin layers.- Fabrication of 2D NEMS on flexible substrates for strain engineering in sensing applications.- Transition metal doped ZnS monolayer: The first principles insights.- Tuning Resonant Wavelength of Silicon Micro-ring Resonator with Graphene.- Diameter Dependent Band Gap Properties of Different Structures of Single-walled Carbon.-Limitations of Mott-Schottky Analysis for Organic Metal-Insulator-Semiconductor Capacitors.
| Erscheint lt. Verlag | 31.1.2019 |
|---|---|
| Reihe/Serie | Springer Proceedings in Physics |
| Zusatzinfo | LVII, 1299 p. 824 illus., 656 illus. in color. |
| Verlagsort | Cham |
| Sprache | englisch |
| Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
| Schlagworte | compound semiconductors • Crystal growth, epitaxy and characterization • Graphene and 2D materials • III-Nitrides materials and devices • IWPSD 2017 • Semiconductors for quantum computing • VLSI technology |
| ISBN-10 | 3-319-97604-4 / 3319976044 |
| ISBN-13 | 978-3-319-97604-4 / 9783319976044 |
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