Advancing Silicon Carbide Electronics Technology I -

Advancing Silicon Carbide Electronics Technology I (eBook)

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2018
250 Seiten
Materials Research Forum LLC (Verlag)
978-1-945291-85-2 (ISBN)
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The rapidly advancing Silicon Carbide technology has demonstrated a great potential in high-power low-loss semiconductor electronics. High thermal stability and outstanding chemical inertness make SiC an excellent material for development of high temperature electronics and semiconductor devices operating in harsh environment. Keywords: Silicon Carbide Technology, Semiconductor Devices, SiC Device Fabrication, SiC Device Characterization, SiC Surface Cleaning, SiC Surface Etching, Electrical Characterization of SiC, Ohmic Contacts to SiC, Contact Resistivity Analysis, Ohmic Contact Fabrication, Metallization Schemes, Thermal Stability of Ohmic Contacts to SiC, Schottky Contacts to SiC, Schottky Barrier Formation, Schottky Diodes, Junction Barrier Schottky Diodes, Si/ SiC Heterojunction Diodes, Schottky Barrier Inhomogeneity in SiC, SiC Power Electronics, Temperature/Light Sensors, SiC Switching Devices, High Temperature Electronics, High Frequency Electronics, Thermal Stability of SiC.
Erscheint lt. Verlag 25.9.2018
Sprache englisch
Themenwelt Technik Elektrotechnik / Energietechnik
Technik Maschinenbau
ISBN-10 1-945291-85-0 / 1945291850
ISBN-13 978-1-945291-85-2 / 9781945291852
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