Epitaxie und Charakterisierung von AlGaN-basierten UV-Photodetektoren
Seiten
2017
Fraunhofer Verlag
978-3-8396-1111-1 (ISBN)
Fraunhofer Verlag
978-3-8396-1111-1 (ISBN)
AlGaN-Photodetektoren bieten erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Si-basierten Photodetektoren hinsichtlich der Zuverlässigkeit und der elektrooptischen Leistungseigenschaften. Schwerpunkt dieser Dissertation ist daher die metallorganische Gasphasenepitaxie und die Charakterisierung der AlGaN-Schichten zur Prozessierung von p-i-n-Photodioden für die Messung von UV-Strahlung.
Erscheinungsdatum | 13.02.2017 |
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Reihe/Serie | Science for Systems ; 28 |
Zusatzinfo | zahlr., meist farb. Abb. u. Tab. |
Verlagsort | Stuttgart |
Sprache | deutsch |
Maße | 148 x 210 mm |
Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
Schlagworte | Applied Optics • applied physics • electronic devices & materials • Forschungsingenieure • Fraunhofer IAF • Gasphasenepitaxie • optical physics • UV-Photodetektoren |
ISBN-10 | 3-8396-1111-3 / 3839611113 |
ISBN-13 | 978-3-8396-1111-1 / 9783839611111 |
Zustand | Neuware |
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