Tunnel Field-effect Transistors (TFET) (eBook)
208 Seiten
Wiley (Verlag)
978-1-119-24630-5 (ISBN)
Dr. M. Jagadesh Kumar obtained his MS in Electrical Engineering (EE) and PhD in EE from the Indian Institute of Technology (IIT), Madras. He is currently the NXP (Philips) Chair Professor at IIT Delhi by Philips Semiconductors, Netherlands (now NXP Semiconductors India Pvt Ltd). He works in the area of Nanoelectronic Devices, Nanoscale Device modeling and simulation, Innovative Device Design and Power semiconductor devices. He has published extensively in the above areas with four book chapters and more than 200 publications in refereed journals and conference proceedings including 70 IEEE Journal papers. Six patent applications have been filed based on his research. Rajat Vishnoi received his B.Tech degree in EE from the Indian Institute of Technology (IIT), Kanpur, in 2012. He is currently pursuing his Ph.D. degree in Electrical Engineering at the Indian Institute of Technology, Delhi. His research interests include semiconductor device modelling, design and fabrication. Pratyush Pandey completed his undergraduate in Electrical Engineering from the Indian Institute of Technology (IIT), Kanpur, in 2011. In 2007 he received a Silver Medal in the International Physics Olympiad, and a Gold Medal in the Indian National Chemistry Olympiad. During his undergraduate studies, he worked on quantum error correction codes, quantum cryptography, and applied information theory. Subsequently, he worked as a Research Assistant at IIT Delhi on the analytical modelling of TFETs. He has developed analytical models for Double Gate, Dual Material Gate, and Nanowire TFETs. He is currently a graduate student advised by Dr. Alan Seabaugh at Notre Dame, where he is involved in the simulation, modelling, characterisation, and fabrication of TMD TFETs. He is also a reviewer for IEEE Transactions on Electron Devices, and the Journal of Computational Electronics.
Erscheint lt. Verlag | 27.9.2016 |
---|---|
Sprache | englisch |
Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
Schlagworte | Electrical & Electronics Engineering • Elektrotechnik u. Elektronik • Feldeffekttransistor • Halbleiter • semiconductors • TFET • Tunnel-Feldeffekttransistor |
ISBN-10 | 1-119-24630-X / 111924630X |
ISBN-13 | 978-1-119-24630-5 / 9781119246305 |
Haben Sie eine Frage zum Produkt? |
Größe: 13,2 MB
Kopierschutz: Adobe-DRM
Adobe-DRM ist ein Kopierschutz, der das eBook vor Mißbrauch schützen soll. Dabei wird das eBook bereits beim Download auf Ihre persönliche Adobe-ID autorisiert. Lesen können Sie das eBook dann nur auf den Geräten, welche ebenfalls auf Ihre Adobe-ID registriert sind.
Details zum Adobe-DRM
Dateiformat: EPUB (Electronic Publication)
EPUB ist ein offener Standard für eBooks und eignet sich besonders zur Darstellung von Belletristik und Sachbüchern. Der Fließtext wird dynamisch an die Display- und Schriftgröße angepasst. Auch für mobile Lesegeräte ist EPUB daher gut geeignet.
Systemvoraussetzungen:
PC/Mac: Mit einem PC oder Mac können Sie dieses eBook lesen. Sie benötigen eine
eReader: Dieses eBook kann mit (fast) allen eBook-Readern gelesen werden. Mit dem amazon-Kindle ist es aber nicht kompatibel.
Smartphone/Tablet: Egal ob Apple oder Android, dieses eBook können Sie lesen. Sie benötigen eine
Geräteliste und zusätzliche Hinweise
Buying eBooks from abroad
For tax law reasons we can sell eBooks just within Germany and Switzerland. Regrettably we cannot fulfill eBook-orders from other countries.
aus dem Bereich