Emerging Resistive Switching Memories (eBook)
VIII, 93 Seiten
Springer International Publishing (Verlag)
978-3-319-31572-0 (ISBN)
Jianyong Ouyang is an Associate Professor in the Department of Materials Science and Engineering at National University of Singapore.
Jianyong Ouyang is an Associate Professor in the Department of Materials Science and Engineering at National University of Singapore.
Introduction to history of memory devices and the present memory devices.- Introduction of resistive switches memory devices with nanoparticles.- Structure, fabrication and operation of devices with a triple-layer structure sandwiched between two electrode.- Structure, fabrication and operation of devices with a single layer structure sandwiched between two electrode.- Resistive switching devices exploiting the charge transfer between metal electrode and metal nanoparticles.- Mechanisms for resistive switches.- Application of the resistive switching devices with nanoparticles.
| Erscheint lt. Verlag | 4.7.2016 |
|---|---|
| Reihe/Serie | SpringerBriefs in Materials |
| Zusatzinfo | VIII, 93 p. 73 illus., 41 illus. in color. |
| Verlagsort | Cham |
| Sprache | englisch |
| Themenwelt | Mathematik / Informatik ► Informatik |
| Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik | |
| Schlagworte | Bistable devices • Charge trapping • Fabrication of novel non-vole. rest. random-access mem. • Memory device nanoparticles • Memristor Devices • Neuromorphic memories • Nonvolatile memories • Resistive Switching • RRAM • transition metal oxide |
| ISBN-10 | 3-319-31572-2 / 3319315722 |
| ISBN-13 | 978-3-319-31572-0 / 9783319315720 |
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