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Physikalische Modellierung und numerische Simulation von Nanodraht-Tunnelfeldeffekttransistoren
Seiten
2018
Shaker (Verlag)
978-3-8440-4265-8 (ISBN)
Shaker (Verlag)
978-3-8440-4265-8 (ISBN)
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Im Rahmen dieser Arbeit werden die Eigenschaften von Nanodraht-Tunneltransistoren in unterschiedlichen Bauformen mit Hilfe von numerischen Simulationen analysiert. Um eine Optimierung der Schalteigenschaften zu erzielen, werden die Auswirkungen von Dotierprofilen, Geometrie und Materialeigenschaften untersucht und daran anschließend die zugrunde liegenden Mechanismen erklärt. Da das Standardmodell zur Beschreibung von Band-zu-Band Tunnelprozessen einen Fehler aufweist, wird ein korrigiertes Modell entwickelt, in den Bauelementsimulator Sentaurus Device implementiert und ausgiebig getestet. Zudem werden einige alternative Modellierungskonzepte zur Beschleunigung der Simulationen vorgestellt.
Erscheinungsdatum | 03.03.2016 |
---|---|
Reihe/Serie | Selected Topics of Electronics and Micromechatronics /Ausgewählte Probleme der Elektronik und Mikromechatronik ; 50 |
Verlagsort | Aachen |
Sprache | deutsch |
Maße | 148 x 210 mm |
Gewicht | 212 g |
Einbandart | geklebt |
Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
Schlagworte | phononenunterstütztes Band-zu-Band Tunneln • TFET • Tunnelfeldeffekttransistor |
ISBN-10 | 3-8440-4265-2 / 3844042652 |
ISBN-13 | 978-3-8440-4265-8 / 9783844042658 |
Zustand | Neuware |
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