ICNS-4

Diese Tagungsbeiträge der 4. Internationalen Konferenz über Nitrid-Halbleiter (ICNS) 2001 in Denver, Colorado, decken alle aktuellen Aspekte der Nitrid-Halbleiter-Systeme ab. Die Beiträge stellen wissenschaftliche und technische Entwicklungen, die mit diesen Materialien verbunden sind, sowie ihre Weiterverarbeitung und Bauteile vor.

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Diese Tagungsbeiträge der 4. Internationalen Konferenz über Nitrid-Halbleiter (ICNS-4) stellen die neuesten Fortschritte auf dem Gebiet der Nitrid-Halbleiter-Systeme und verwandter Materialien vor. Wissenschaftler präsentieren aktuelle Ergebnisse aller Aspekte der Nitrid-Halbleiter-Systeme, die Verbindungen wie AlInGaN, GaNAsP, AlSiCN und andere Materialien einschließen, die Stickstoff als einen ihrer Hauptbestandteile enthalten. Die Beiträge stellen wissenschaftliche und technische Entwicklungen, die mit diesen Materialien verbunden sind, sowie ihre Weiterverarbeitung und Bauteile vor.
Die ICNS-4 wurde 2001 in Denver, Colorado abgehalten und folgt den Tagungen ICNS-1 in Boston und Nagoya (1995), ICNS-2 in Tokushima, Japan und ICNS-3 in Montepellier, Frankreich (1999).
Themenbereiche:
- Herstellung (Substrate, Zwischenprodukte, Bulk-Kristalle, Wachstum, Dotierung, Heterostrukturen, Rekristallisierung, Legierungen)
- Grundlagenforschung (Bandstruktur, Modelle für physikalische Eigenschaften, Quantisierungseffekte, Deformationseffekte, Oberflächeneigenschaften)
- Charakterisierung (Bestimmung von Struktureigenschaften sowie elektrischer und optischer Eigenschaften usw.)
- Weiterverarbeitung (Ätzen (trocken/nass), Schneiden, hoch reflektierende Beschichtungen, Ohmsche Kontakte, Schottky-Kontakte)
- Bauteile (Optoelektronik, Hochleistungs- und Hochtemperatur-Anwendungen)