Herstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid
Seiten
- Keine Verlagsinformationen verfügbar
- Artikel merken
Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Herstellung und der Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldefekttransistoren auf der Siliciumseite von 4H-Siliciumcarbid (4H-SiC).
| Erscheint lt. Verlag | 12.3.2015 |
|---|---|
| Reihe/Serie | Erlanger Berichte Mikroelektronik ; 2015,2 |
| Sprache | deutsch |
| Maße | 148 x 210 mm |
| Gewicht | 287 g |
| Einbandart | Paperback |
| Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
| Schlagworte | EELS • MOSFET • SiC • Transistor |
| ISBN-10 | 3-8440-3495-1 / 3844034951 |
| ISBN-13 | 978-3-8440-3495-0 / 9783844034950 |
| Zustand | Neuware |
| Haben Sie eine Frage zum Produkt? |
Mehr entdecken
aus dem Bereich
aus dem Bereich
