Entwurf von Transceiver MMICs für breitbandige FMCW-Radarsysteme über 100 GHz in modernen SiGe-Bipolartechnologien

In dieser Arbeit wird der Entwurf von vollständig integrierten Transceivern für moderne Radarsysteme in Silizium-Germanium-Halbleitertechnologien vorgestellt. Diese Radarsysteme finden nicht nur in der industriellen Messtechnik, sondern auch vermehrt in der Automobilsensorik Anwendung. Die Fortschritte in modernen Halbleitertechnologien bieten dabei Grenzfrequenzen die eine Erschließung des oberen Endes des Millimeterwellenbereiches (30 GHz – 300 GHz) ermöglichen. Auf Grund der verwendeten SiGe-Technologien lässt sich diese Erschließung höherer Frequenzen gleichzeitig mit verhältnismäßig niedrigen Kosten verbinden.

Das Ziel dieser Arbeit ist die Demonstration eines solchen Transceivers über 100 GHz. Dieser Transceiver integriert dabei alle nötigen hochfrequenten Schaltungsteile auf einem Chip („System on Chip“), um die zusätzlichen technischen Aufwand in der Aufbautechnik möglichst gering zu halten. Als weiteres Ziel ist dabei eine breitbandige Realisierung verfolgt worden, da dies die Entfernungsauflösung und somit die Genauigkeit von Radarsystemen direkt positiv beeinflusst.