Untersuchung von Isolierstoffen unter impulsförmiger elektrischer Beanspruchung
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Die vorliegende Arbeit verfolgt unter der Motivation, dass es durch die Zunahme von
Leistungselektronik vermehrt zu einer neuen Art der elektrischen Spannungsbeanspruchung in
Isoliersystemen mit ungeklärten Langzeitauswirkungen kommt, das Ziel, einen Beitrag zur
Klärung der Auswirkungen dieser Beanspruchungen zu leisten.
Nach Einleitung in das Thema erfolgt die Behandlung des Phänomens der Alterung und Lebensdauer von
Isolierstoffen, bevor auf die Charakteristik von impulsförmigen Spannungen eingegangen wird. Neben
der Vorstellung von Stoßspannungen wird auf, an mit Leistungshalbleitern ausgestatteten Umrichtern
auftretende, Spannungsimpulse eingegangen. Es erfolgt neben den verwendeten Probekörpern eine
Vorstellung der zur Untersuchung genutzten Systeme und Anlagen, die vorwiegend aus dem Gebiet der
Hochspannungstechnik stammen und auch Komponenten aus der Leistungselektronik (Stichworte: IGBT und
CMOS) beinhalten.
Im Mittelteil der Arbeit wird das Verfahren der Untersuchung, Alterung und Konditionierung der
Probekörper mit Hilfe der Anlagentechnik beschrieben. Dabei wird auf Untersuchungen zur Bestimmung
von Teilentladungseinsetzspannung, Isolationswiderstand, dielektrischen Werten und
Durchschlagspannungsfestigkeit eingegangen, sowie die Konditionieren der Proben in zwei
verschiedenen Halbleiteranlagen eingegangen.
Zu Ende der Arbeit werden die erzielten Ergebnisse in Form von Diagrammen präsentiert und gedeutet.
Leistungselektronik vermehrt zu einer neuen Art der elektrischen Spannungsbeanspruchung in
Isoliersystemen mit ungeklärten Langzeitauswirkungen kommt, das Ziel, einen Beitrag zur
Klärung der Auswirkungen dieser Beanspruchungen zu leisten.
Nach Einleitung in das Thema erfolgt die Behandlung des Phänomens der Alterung und Lebensdauer von
Isolierstoffen, bevor auf die Charakteristik von impulsförmigen Spannungen eingegangen wird. Neben
der Vorstellung von Stoßspannungen wird auf, an mit Leistungshalbleitern ausgestatteten Umrichtern
auftretende, Spannungsimpulse eingegangen. Es erfolgt neben den verwendeten Probekörpern eine
Vorstellung der zur Untersuchung genutzten Systeme und Anlagen, die vorwiegend aus dem Gebiet der
Hochspannungstechnik stammen und auch Komponenten aus der Leistungselektronik (Stichworte: IGBT und
CMOS) beinhalten.
Im Mittelteil der Arbeit wird das Verfahren der Untersuchung, Alterung und Konditionierung der
Probekörper mit Hilfe der Anlagentechnik beschrieben. Dabei wird auf Untersuchungen zur Bestimmung
von Teilentladungseinsetzspannung, Isolationswiderstand, dielektrischen Werten und
Durchschlagspannungsfestigkeit eingegangen, sowie die Konditionieren der Proben in zwei
verschiedenen Halbleiteranlagen eingegangen.
Zu Ende der Arbeit werden die erzielten Ergebnisse in Form von Diagrammen präsentiert und gedeutet.
Sprache | deutsch |
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Maße | 148 x 210 mm |
Gewicht | 285 g |
Einbandart | Paperback |
Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
Schlagworte | Alterung von Isoliermaterial • Complementary Metal Oxide (CMOS) • Durchschlagspannung • Durchschlagspannung, Wasserendverschluss, Alterung von Isoliermaterial, • Hochspannungstechnik • Hochspannungstechnik, Stoßspannungen, Insulated Gate Bipolartransitor (IGBP), Teilentladungen, Labortechnik, Complementary Metal Oxide (CMOS), Pulsweitenmodulation (PWM), Modellkabel, Verlustfaktor, • Insulated Gate Bipolartransitor (IGBP) • Labortechnik, • Modellkabel • Pulsweitenmodulation (PWM) • Stoßspannungen • Teilentladungen • Verlustfaktor • Wasserendverschluss |
ISBN-10 | 3-86844-631-1 / 3868446311 |
ISBN-13 | 978-3-86844-631-9 / 9783868446319 |
Zustand | Neuware |
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