Hot-Electron Transport in Semiconductors
Seiten
2014
|
1. Softcover reprint of the original 1st ed. 1985
Springer Berlin (Verlag)
978-3-662-30935-3 (ISBN)
Springer Berlin (Verlag)
978-3-662-30935-3 (ISBN)
General theory.- Drift velocity and diffusion coefficients from time-of-flight measurements.- Transport parameters from microwave conductivity and noise measurements.- Multivalued distributions of hot electrons between equivalent valleys.- Streaming motion of carriers in crossed electric and magnetic fields.- Hot electrons in semiconductor heterostructures and superlattices.- Non-steady-state carrier transport in semiconductors in perspective with submicrometer devices.
Erscheint lt. Verlag | 23.8.2014 |
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Reihe/Serie | Topics in Applied Physics |
Co-Autor | M. Asche, C. Canali, E. Constant, K. Hess, G.J. Iafrate, S. Komijama, T. Kurosawa, T. Masumi, F. Nava, Y.K. Pozhela, L. Reggiani |
Zusatzinfo | XVI, 275 p. 26 illus. |
Verlagsort | Berlin |
Sprache | englisch |
Maße | 155 x 235 mm |
Gewicht | 451 g |
Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
Technik ► Maschinenbau | |
Schlagworte | Diffusion • Distribution • Electrons • Measurement • microwave • Noise • semiconductor • semiconductors • Structures • superlattice • superlattices • time-of-flight • Transport |
ISBN-10 | 3-662-30935-1 / 3662309351 |
ISBN-13 | 978-3-662-30935-3 / 9783662309353 |
Zustand | Neuware |
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