Nitride Semiconductors (eBook)
XXII, 664 Seiten
Wiley-VCH (Verlag)
978-3-527-60740-2 (ISBN)
This collection of review articles provides a systematic and in-depth overview of the topic, on both a high and current level. It offers information on the physical basics as well as the latest results in a compact yet comprehensive manner. The contributions cover the physical processes involved in manufacture, from semiconductor growth, via their atomic structures and the related characteristics right up to future industrial applications. A highly pertinent book for anyone working in applied materials research or the semiconductor industry. Halbleiter-Bauelemente auf Silizium-Basis finden seit Jahren ein breites Einsatzfeld. Diese metallischen Halbleiter sind gut erforscht und technologisch erschlossen. Nun hat eine neue Materialgruppe auf sich aufmerksam gemacht: Keramische Halbleiter auf Nitrid-Basis sind aufgrund ihrer optischen und elektronischen Eigenschaften zum aktuellen Gegenstand der Forschung geworden. Für die Industrie eröffnen sich neue Anwendungen im Bereich der Fotosensoren, als moderne Lichtquellen oder als Bauteile in der Elektronik.
Die vorliegende Sammlung längerer Übersichtsartikel ermöglicht ein systematisches und tiefgehendes Studium der Thematik. In kompakter und umfassender Form sowie auf hohem und aktuellem Niveau werden Informationen über die physikalischen Grundlagen und neueste Erkenntnisse zu diesem Materialsystem bereitgestellt. Die Beiträge befassen sich mit den physikalischen Vorgängen bei der Herstellung, d.h. dem Wachstum dieser Halbleiter, der atomaren Struktur und den darauf beruhenden Eigenschaften sowie zukünftigen industriellen Anwendungen. Ein Buch von großer Relevanz für alle, die in der angewandten Materialforschung und der Halbleiterindustrie tätig sind.
Isabella Grzegory, High Pressure Research Center, Poland Pierre Gibart, CRHEA-CNRS, France A. Georgakilas, Microelectronics Research Group, Greece Agnès Trassoudaine, Université Blaise Pascal, France V. Yu. Davydov, Polytekhnicheskaya, Russia Jörg Neugebauer, Fritz-Haber-Institut der MPG, Germany Ph. Komninou, Aristotle University of Thessaloniki, Greece Pierre Ruterana, ESCTM-CRISMAT, France P. J. Hartlieb, North Carolina State University Raleigh, USA H. Amano; Meijo University, Japan Hadis Morkoç, Virginia Commonwealth University, USA Franck Omnes, CRHEA/CNRS, France
1. High Pressure Crystallization of GaN (I. Grzegory, S. Krukowski, M. Leszczynski, P. Perlin, T. Suski, and S. Porowski)
2. Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN (P. Gibart, B. Beaumont, and P. Vennéguès)
3. Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy of III-V Nitrides (A. Georgakilas, H. M. Ng, and Ph. Komninou)
4. The Growth of Gallium Nitride by Hydride Vapour Phase Epitaxy (HVPE) (A. Trassoudaine, R. Cadoret and E. Aujol)
5. Growth and Properties of InN (V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, S. V. Ivanov, I. Aderhold, and A. Yamamoto)
6. Ab initio Analysis of Surface Structures and Adatom Kinetics of Group-III Nitrides (J. Neugebauer)
7. Topological Analysis of Defects in Nitride Semiconductors (G. P. Dimitrakopulos, Ph. Komninou, Th. Karakostas, and R. C. Pond)
8. Extended Defects in Wurtzite GaN Layers: Atomic Structure, Formation and Interaction Mechanisms (P. Ruterana, A. M. Sánchez, and G. Nouet)
9. Stain, Chemical Composition and Defects Analysis at Atomical Level in GaN Based Epitaxial Layers (S. Kret, P. Ruterana, C. Delamarre, T. Benabbas, and P. Dluzewski)
10. Ohmic Contacts to GaN (P. J. Hartlieb, R. J. Nemanich, and R.F. Davis)
11. Electroluminescent Diodes and Laser Diodes (H. Amano)
12. GaN-based Modulation Doped FETs and Heterojunction Bipolar Transistors ( H. Morkoç, L. Liu)
13. GaN Based UV Photodetectors (Franck Omnes, Eva Monroy)
"Overall, the new handbook is an essential reference work for material scientists, and is equally valuable for newcomers as well as experts and professionals who are envisioning novel semiconductor devices or developing epitaxial growth techniques." Stefan Kaskel, MPI für Kohlenforschung Mülheim/Ruhr, Angewandte Chemie 39/2003.
"Die Autoren dieses Handbuches versuchen den Brückenschlag zu leisten, den derzeitigen Stand der Nitride-Forschung zu beschreiben, ohne die Grundlagen oder die Historie zu vernachlässigen. Insgesamt kann also das Ziel eines "umfassenden Handbuches" als erreicht gelten."
Torsten Schmidtling, Wolfgang Richter
Physik Journal, 2004, Vol. 3, No. 1
| Erscheint lt. Verlag | 12.5.2006 |
|---|---|
| Sprache | englisch |
| Themenwelt | Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Atom- / Kern- / Molekularphysik |
| Technik | |
| Schlagworte | Components & Devices • Electrical & Electronics Engineering • Elektrotechnik u. Elektronik • Festkörperphysik • Festkörperphysik • Halbleiter • Halbleiterphysik • Komponenten u. Bauelemente • Nitride • Physics • Physik • Semiconductor physics • semiconductors |
| ISBN-10 | 3-527-60740-4 / 3527607404 |
| ISBN-13 | 978-3-527-60740-2 / 9783527607402 |
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