Simulation des Transportverhaltens in Si/Si₁↳xGe↳x/Si-Heterobipolartransistorensistoren

180 Seiten
1999
Utz, Herbert (Hersteller)
978-3-89675-563-6 (ISBN)

Lese- und Medienproben

Simulation des Transportverhaltens in Si/Si₁↳xGe↳x/Si-Heterobipolartransistorensistoren - Dirk M Nuernbergk
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Reihe/Serie Elektrotechnik
Zusatzinfo 82 Abb., 19 Tab.
Sprache deutsch
Maße 145 x 205 mm
Gewicht 236 g
Einbandart Paperback
Themenwelt Technik Elektrotechnik / Energietechnik
Schlagworte Bipolartransistor • Energietransfer (Mikrophysik) • HC/Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik • Siliciumverbindungen
ISBN-10 3-89675-563-3 / 3896755633
ISBN-13 978-3-89675-563-6 / 9783896755636
Zustand Neuware
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