Charakterisierung von HF-Transistoren

Die Simulationsprogramme für Schaltungsaufbauten werden immer besser. Die Zuverlässigkeit der Simulation wird dabei durch die Genauigkeit der Element-Modelle bestimmt. Dieses Buch beschreibt die Messmethoden SOLT, TRL und Deembedding zur Modellbildung von HF-Kleinsignal-Transistoren. In einem angewandten Beispiel werden diese Methoden miteinander verglichen. Das Thema richtet sich an Ingenieure und Techniker, welche sich in die Theorie der Modellbildung vertiefen und sie in der Praxis einsetzen wollen.