Wirkung hochenergetischer Strahlung auf Halbleiterbauelemente
Springer Berlin (Verlag)
978-3-540-50891-5 (ISBN)
1 Einführung.- 2 Wechselwirkung (WW) zwischen Strahlung und Materie.- 2.1 Vorbemerkungen.- 2.2 Photonen.- 2.3 Elektronen.- 2.4 Protonen und schwere Ionen.- 2.5 Neutronen.- 3 Schädigungsmechanismen im Silizium und Siliziumdioxid.- 3.1 Vorbemerkungen.- 3.2 Permanente Defekte im Silizium.- 3.3 Transiente Defekte im Silizium.- 3.4 Siliziumdioxid: Defekte im Volumen und an der Phasengrenze.- 4 Bauelementbezogene Schädigung.- 4.1 Vorbemerkungen.- 4.2 Permanente Schädigung in bipolaren und MOS Transistoren.- 4.3 Auswirkungen auf integrierte Schaltungen in Beispielen.- 4.4 Lokalisierte Schädigungsereignisse.- 4.5 Degradation, Härtung und Miniaturisierung.- 5 Bestrahlungstests und Schädigungsvorhersage.- 5.1 Vorbemerkungen.- 5.2 Bestrahlungsquellen.- 5.3 Abschirmung.- 5.4 Bestimmung der Funktionssicherheit.- 6 Literatur.- 7. Sachverzeichnis.
Erscheint lt. Verlag | 7.8.1989 |
---|---|
Reihe/Serie | Mikroelektronik |
Zusatzinfo | X, 196 S. 118 Abb. |
Verlagsort | Berlin |
Sprache | deutsch |
Maße | 170 x 244 mm |
Gewicht | 365 g |
Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
Schlagworte | Aktor • Bauelemente • Forschung • Halbleiter • Halbleiterbauelement • Halbleiterbauelemente • Handel • Integrierte Schaltung • Luft- und Raumfahrt • Physik • Schaltung • Strahlung • Technologie • Transistor |
ISBN-10 | 3-540-50891-0 / 3540508910 |
ISBN-13 | 978-3-540-50891-5 / 9783540508915 |
Zustand | Neuware |
Haben Sie eine Frage zum Produkt? |
aus dem Bereich