GaAs-Feldeffekttransistoren
Springer Berlin (Verlag)
978-3-540-50193-0 (ISBN)
1 Einleitung.- 2 Grundlagen.- 2.1 Prinzip des FET.- 2.2 Ausführungsformen von FET.- 2.3 Der Metall-Halbleiter-Übergang.- 2.4 Der p+n-Übergang.- 2.5 Die MIS-Struktur.- 3 Theorie des Ladungstransports.- 3.1 Vorbemerkung.- 3.2 Kennlinien von JFET und MESFET.- 3.3 Kennlinien von MISFET.- 3.4 Einfluß der Zuleitungswiderstände.- 3.5 Numerische Lösungen der Poisson-Gleichung.- 4 GaAs-MESFET.- 4.1 Kleinsignalverhalten.- 4.2 Rauschen.- 4.3 Kleinsignal-FET: Stand 1988.- 4.4 Leistungs-FET.- 5 GaAs-Planartechnologie.- 5.1 Herstellung von semiisolierendem Gas.- 5.2 Herstellung der aktiven Schichten.- 5.3 Herstellung der Bauelementestruktur.- 6 Stabilität und Zuverlässigkeit von GaAs-MESFET.- 6.1 Materialeinflüsse.- 6.2 Einfluß der Metallisierung.- 6.3 Zuverlässigkeitsdaten.- 7 Ternäre und quaternäre Halbleiter für Hochfrequenz-FET.- 7.1 Einfachschicht-Strukturen.- 7.2 Mehrfachschicht-Strukturen.- 8 Ausblick: Monolithisch integrierte Schaltungen auf GaAs.- 8.1 Analoge Schaltungen.- 8.2 Digitale Schaltungen.- Al Smith-Diagramm.- A2 S-Parameter.- A3 Kenngrößen von Netzwerken.
Erscheint lt. Verlag | 12.12.1988 |
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Reihe/Serie | Halbleiter-Elektronik |
Zusatzinfo | 283 S. |
Verlagsort | Berlin |
Sprache | deutsch |
Maße | 155 x 235 mm |
Gewicht | 470 g |
Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
Schlagworte | Bauelemente • digitale Schaltungen • Entwicklung • Feldeffekt • Feldeffekttransistoren • Galliumarsenid-Feldeffekttransistoren • Halbleiter • Integrierte Schaltung • Kennlinien • Schaltung • Transistor • Widerstand • Zuverlässigkeit |
ISBN-10 | 3-540-50193-2 / 3540501932 |
ISBN-13 | 978-3-540-50193-0 / 9783540501930 |
Zustand | Neuware |
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