AlGaN/GaN-Schichtsysteme für piezoelektrisch angeregte Resonatoren

Auf Grund der gestiegenen Anforderungen für mikroelektromechanische
Systeme hinsichtlich Stabilität, Skalier- und Integrierbarkeit, steigt das Interesse
an neuen Materialsystemen wie z.B. Halbleitern großer Bandlücke. Diese
bringen jedoch neue technologische Herausforderungen mit sich. So wurde
das epitaktische Wachstum von AlGaN/GaN-Heterostrukturen mit Hilfe der Metallorganischen Gasphasenabscheidung auf selektiv ätzbare (Quasi-)Substrate übertragen, welche das anschließende Freistellen dreidimensionaler Strukturen erlauben. Darüber hinaus wurden die piezoelektrischen Eigenschaften solcher Heterostrukturen und ihre Eignung für piezoelektrische MEMS untersucht. Die Kombination der Elektroreflexion mit der Piezokraftmikroskopie erlaubte die Korrelation der unabhängig voneinander bestimmten elektrische Feldstärkeverteilung mit der Kontraktion bzw. Dehnung der Schichten und damit die zuverlässige Bestimmung des piezoelektrischen Moduls.