Quasi-monolithische Integrationstechnologie (QMIT) für High-Power-Anwendungen im Mikrowellenbereich

In dieser Arbeit wurde ein Verfahren entwickelt, um ungehäuste High-Power-Hochfrequenztransistoren in Kavitäten, die in einem Siliziumsubstrat erstellt wurden, einzubetten. Das Verfahren kombiniert die Vorteile der monolithischen und hybriden Integration von Hochfrequenzschaltungen und wird als quasi-monolithische Integrationstechnologie (QMIT) bezeichnet.