Optoelectronic Properties of GaN Nanostructures and Novel II-III Oxynitrides Grown by Molecular Beam Epitaxy
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2022
Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München (Verlag)
978-3-946379-45-4 (ISBN)
Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München (Verlag)
978-3-946379-45-4 (ISBN)
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Die Photolumineszenz von GaN-Nanodrähten zeigt zeitliche Instabilität. Davon ausgehend wird der Einfluss von Luftbestandteilen und der Temperatur auf die Nanodraht Oberfläche untersucht. Unter intensivem UV-Licht zersetzt sich das Material in Wasser, wobei die a- beständiger als die m-Facette ist. Dies wird benutzt, um stabile Nanogitter herzustellen.
Es werden In/Ga-Zn-O-N Schichten via MBE-Wachstum hergestellt und die Position der Bandkanten, die Größe der optischen Bandlücke, die elektrischen und elektrochemischen Eigenschaften der Materialien werden untersucht.
Es werden In/Ga-Zn-O-N Schichten via MBE-Wachstum hergestellt und die Position der Bandkanten, die Größe der optischen Bandlücke, die elektrischen und elektrochemischen Eigenschaften der Materialien werden untersucht.
| Erscheinungsdatum | 30.09.2022 |
|---|---|
| Sprache | englisch |
| Maße | 150 x 210 mm |
| Themenwelt | Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie |
| Schlagworte | molecular beam epitaxy • nanostructures • oxynitrides |
| ISBN-10 | 3-946379-45-1 / 3946379451 |
| ISBN-13 | 978-3-946379-45-4 / 9783946379454 |
| Zustand | Neuware |
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