Oberflächen-Passivierung von kristallinem Silicium durch Aluminiumoxid.
Seiten
2018
Fraunhofer Verlag
978-3-8396-1253-8 (ISBN)
Fraunhofer Verlag
978-3-8396-1253-8 (ISBN)
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Amorphe Al2O3-Schichten eignen sich hervorragend zur Passivierung kristalliner Si-Oberflächen, was insbesondere in der Photovoltaik zu einem enormen Anstieg der Solarzellen-Effizienz führen kann. In der vorliegenden Arbeit wurden die genauen physikalischen Ursachen der Passiviereigenschaften von Al2O3-Schichten untersucht. Dazu wurden Temperatur-induzierte Aktivierungs- und Degradations-Phänomene von Si/SiO2/Al2O3-Proben analysiert. Unter Anderem wurde so ein Modell zur Beschreibung des Phänomens Blistering erstellt, die Aktivierungsenergie der negativen Grenzflächen-Ladungsträger bestimmt und mit dem Si-db ein Defekt identifiziert, welcher wesentlich zur Rekombination von Minoritätsladungsträgern an der Si/ Al2O3-Grenzfläche beiträgt.
Erscheinungsdatum | 14.04.2018 |
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Reihe/Serie | Solare Energie- und Systemforschung |
Zusatzinfo | zahlr. Abb. u. Tab. |
Verlagsort | Stuttgart |
Sprache | deutsch |
Maße | 148 x 210 mm |
Themenwelt | Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Angewandte Physik |
Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Atom- / Kern- / Molekularphysik | |
Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Festkörperphysik | |
Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik | |
Schlagworte | Angewandte Physik • Atomic & molecular physics • Atom- und Molekülphysik • B • condensed matter physics (liquid state & solid state physics) • Festkörperphysik • Fraunhofer ISE • Halbleiterphysik • Materialwissenschaft • Photovoltaik • Physik • Physik der kondensierten Materie |
ISBN-10 | 3-8396-1253-5 / 3839612535 |
ISBN-13 | 978-3-8396-1253-8 / 9783839612538 |
Zustand | Neuware |
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