Structural and Electrical Characterization of III-V Semiconductor Nanowires
Seiten
2015
Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München (Verlag)
978-3-941650-91-6 (ISBN)
Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München (Verlag)
978-3-941650-91-6 (ISBN)
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The main image shows a contacted core-shell GaAs-AlGaAs nanowire with three individual top gates (upper fingers) in between the contacts (lower and outmost fingers) to probe the electrical properties of the nanowire spatially. A resulting transfer curve (gate voltage versus source-drain current) is plotted in the upper left image. At room temperature a sharp switching behavior is observed together with a high I(on)/I(off)-ratio. The lower right image presents a high resolution transmission electron micrograph of an InAs nanowire indicating a mixed wurtzite/zincblende stacking.
Erscheinungsdatum | 11.08.2016 |
---|---|
Verlagsort | Garching |
Sprache | englisch |
Einbandart | Paperback |
Themenwelt | Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie |
Schlagworte | Field Effect Transistors • semiconductor nanowires • Transport Measurements |
ISBN-10 | 3-941650-91-2 / 3941650912 |
ISBN-13 | 978-3-941650-91-6 / 9783941650916 |
Zustand | Neuware |
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