Magnetic nanowires and microwires are key tools in the development of enhanced devices for information technology (memory and data processing) and sensing. Offering the combined characteristics of high density, high speed, and non-volatility, they facilitate reliable control of the motion of magnetic domain walls; a key requirement for the development of novel classes of logic and storage devices.
Part One introduces the design and synthesis of magnetic nanowires and microwires, reviewing the growth and processing of nanowires and nanowire heterostructures using such methods as sol-gel and electrodeposition combinations, focused-electron/ion-beam-induced deposition, chemical vapour transport, quenching and drawing and magnetic interactions. Magnetic and transport properties, alongside domain walls, in nano- and microwires are then explored in Part Two, before Part Three goes on to explore a wide range of applications for magnetic nano- and microwire devices, including memory, microwave and electrochemical applications, in addition to thermal spin polarization and configuration, magnetocalorific effects and Bloch point dynamics.
- Detailed coverage of multiple key techniques for the growth and processing of nanowires and microwires
- Reviews the principles and difficulties involved in applying magnetic nano- and microwires to a wide range of applications
- Combines the expertise of specialists from around the globe to give a broad overview of current and future trends
Magnetic nanowires and microwires are key tools in the development ofenhanced devices for information technology (memory and data processing) andsensing. Offering the combined characteristics of high density, high speed, andnon-volatility, they facilitate reliable control of the motion of magnetic domainwalls; a key requirement for the development of novel classes of logic and storagedevices. Part One introduces the design and synthesis of magnetic nanowires andmicrowires, reviewing the growth and processing of nanowires and nanowireheterostructures using such methods as sol-gel and electrodepositioncombinations, focused-electron/ion-beam-induced deposition, chemicalvapour transport, quenching and drawing and magnetic interactions. Magneticand transport properties, alongside domain walls, in nano- and microwiresare then explored in Part Two, before Part Three goes on to explore a widerange of applications for magnetic nano- and microwire devices, includingmemory, microwave and electrochemical applications, in addition to thermalspin polarization and configuration, magnetocalorific effects and Bloch pointdynamics. Detailed coverage of multiple key techniques for the growth and processing of nanowires and microwires Reviews the principles and difficulties involved in applying magnetic nano- and microwires to a wide range of applications Combines the expertise of specialists from around the globe to give a broad overview of current and future trends
List of contributors
J.P. Adam Université Paris Sud-CNRS, Orsay, France
G. Agnus Université Paris Sud-CNRS, Orsay, France
E. Anagnostopoulou Université de Toulouse, LPCNO UMR5215, INSA, Toulouse, France
C. Andreas
Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg (IPCMS) and Université de Strasbourg, Strasbourg, France
Peter Grünberg Institut (PGI-6), Forschungszentrum Jülich, Jülich, Germany
J.P. Araújo Universidade do Porto, Porto, Portugal
G. Badini-Confalonieri Instituto de Ciencias de Materiales de Madrid, Madrid, Spain
L. Baldi Micron Semiconductor Italia S.r.l., Agrate Brianza (MB), Italy
I. Barisik Université Paris Sud-CNRS, Orsay, France
J. Barnaś Adam Mickiewicz University, Poznań, Poland
C. Bran Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (ICMM-CSIC), Madrid, Spain
C. Burrowes Université Paris Sud-CNRS, Orsay, France
C. Chappert Université Paris Sud-CNRS, Orsay, France
H. Chiriac National Institute of Research and Development for Technical Physics, Iasi, Romania
A. Chizhik Basque Country University UPV/EHU, San Sebastian, Spain
O. Chubykalo-Fesenko Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, CSIC, Madrid, Spain
R. Cowburn University of Cambridge, Cambridge, UK
R. Córdoba Universidad de Zaragoza, Zaragoza, Spain
L.A.S. de Oliveira Universidade Federal do Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, Brazil
J.M. De Teresa
Universidad de Zaragoza-CSIC, Zaragoza, Spain
Universidad de Zaragoza, Zaragoza, Spain
T. Devolder Université Paris Sud-CNRS, Orsay, France
A. Digiacomo
Université Paris Sud-CNRS, Orsay, France
IMM-CNR, Agrate Brianza (MB), Italy
V.K. Dugaev Rzeszów University of Technology, Rzeszów, Poland
A. Dyrda Adam Mickiewicz University, Poznań, Poland
S. Eimer Université Paris Sud-CNRS, Orsay, France
M. El Hadri Université Paris Sud-CNRS, Orsay, France
M. Fanciulli IMM-CNR, Agrate Brianza (MB), Italy
A. Fernández-Pacheco University of Cambridge, Cambridge, UK
O. Fruchart
Université Grenoble Alpes, Institut NEEL, Grenoble, France
CNRS, Institut NEEL, Grenoble, France
J. García Universidad de Oviedo, Oviedo, Asturias, Spain
K. Garcia Université Paris Sud-CNRS, Orsay, France
F. Garcia Sanchez Université Paris Sud-CNRS, Orsay, France
M. Hayashi National Institute for Materials Science, Tsukuba, Japan
B. Hernando Universidad de Oviedo, Oviedo, Asturias, Spain
L. Herrera Diez Université Paris Sud-CNRS, Orsay, France
R. Hertel Institut de Physique et Chimie des Matériaux de Strasbourg (IPCMS) and Université de Strasbourg, Strasbourg, France
T. Hingant Université Paris-Sud, Orsay, France
J.K. Hyun Department of Chemistry and Nano Science, Ewha Womans University, Seoul, South Korea
M.R. Ibarra
Universidad de Zaragoza-CSIC, Zaragoza, Spain
Universidad de Zaragoza, Zaragoza, Spain
L. Iglesias Universidad de Oviedo, Oviedo, Asturias, Spain
M. Inglot Rzeszów University of Technology, Rzeszów, Poland
M. Ipatov University of the Basque Country, UPV/EHU, San Sebastian, Spain
Y.P. Ivanov King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal, Saudi Arabia
V. Jacques Université Paris-Sud, Orsay, France
S. Jamet
Université Grenoble Alpes, Institut NEEL, Grenoble, France
CNRS, Institut NEEL, Grenoble, France
A. Jiménez Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, Madrid, Spain
B. Kim Department of Chemistry, KAIST, Daejeon 305-701, Korea
J.-V. Kim Université Paris Sud-CNRS, Orsay, France
S. Kim Department of Chemistry, KAIST, Daejeon 305-701, Korea
M. Klaui Johannes Gutenberg-Universität Mainz, Mainz, Germany
L. Kraus Institute of Physics, Academy of Sciences of the Czech Republic, Prague, Czech Republic
L.-M. Lacroix Université de Toulouse, LPCNO UMR5215, INSA, Toulouse, France
A. Lamperti IMM-CNR, Agrate Brianza (MB), Italy
L. Lazzarini IMM-CNR, Agrate Brianza (MB), Italy
H. Lee Department of Chemistry, KAIST, Daejeon 305-701, Korea
W. Lin Université Paris Sud-CNRS, Orsay, France
R. López-Ruiz Universidade Estadual de Campinas, Campinas, Brazil
N. Lupu National Institute of Research and Development for Technical Physics, Iasi, Romania
D.P. Makhnovskiy University of Plymouth, Plymouth, UK
R. Mantovan IMM-CNR, Agrate Brianza (MB), Italy
M. Marianni IMM-CNR, Agrate Brianza (MB), Italy
S. Michalik UPJS, Kosice, Slovakia
I. Minguez-Bacho
Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (ICMM-CSIC), Madrid, Spain
Nanyang Technological University, Singapore, Singapore
K. Nagashima Osaka University, Osaka, Japan
L. Nasi IMM-CNR, Agrate Brianza (MB), Italy
D. Navas Universidade do Porto, Porto, Portugal
B. Ockert Singulus Technology AG, Kahl am Main, Germany
F. Ott Laboratoire Léon Brillouin CEA/CNRS UMR12, Gif sur Yvette, France
T.-A. Óvári National Institute of Research and Development for Technical Physics, Iasi, Romania
I. Panagiotopoulos Laboratoire Léon Brillouin CEA/CNRS UMR12, Gif sur Yvette, France
L.V. Panina
National University of Science and Technology, Moscow, Russian Federation
Institute for...
| Erscheint lt. Verlag | 27.5.2015 |
|---|---|
| Sprache | englisch |
| Themenwelt | Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie |
| Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik | |
| Technik ► Maschinenbau | |
| ISBN-10 | 0-08-100181-9 / 0081001819 |
| ISBN-13 | 978-0-08-100181-3 / 9780081001813 |
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