Festkorper Probleme VIII -

Festkorper Probleme VIII (eBook)

Advances in Solid State Physics

O. Madelung (Herausgeber)

eBook Download: PDF
2013 | 1. Auflage
322 Seiten
Elsevier Science (Verlag)
978-1-4831-4034-6 (ISBN)
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Festkörper Probleme VIII reviews the status of radiation damage in semiconducting materials and components. This book examines the problems connected to the mechanism of production of defects by bombardment with energetic particles, particularly the displacement energy.
Comprised of nine chapters, this book begins with an overview of the microstructure of radiation defects in silicon, which is known from optical absorption experiments and electron spin resonance. This text then explains the preparation of single crystals of high purity or defined impurity contents, which is the basis of successful solid state research. Other chapters consider the widespread application of vapor phase reactions. This book discusses as well mechanism of latent image formation, which considers some advances in silver halide research. The final chapter explains the useful information that can be obtained by a study of the field effects.
This book is a valuable resource for solid state physicists as well as applied physicists.
Festkorper Probleme VIII reviews the status of radiation damage in semiconducting materials and components. This book examines the problems connected to the mechanism of production of defects by bombardment with energetic particles, particularly the displacement energy. Comprised of nine chapters, this book begins with an overview of the microstructure of radiation defects in silicon, which is known from optical absorption experiments and electron spin resonance. This text then explains the preparation of single crystals of high purity or defined impurity contents, which is the basis of successful solid state research. Other chapters consider the widespread application of vapor phase reactions. This book discusses as well mechanism of latent image formation, which considers some advances in silver halide research. The final chapter explains the useful information that can be obtained by a study of the field effects. This book is a valuable resource for solid state physicists as well as applied physicists.

Cover 1
Festkörper Problem VIII 2
Copyright Page 3
Table of Contents 5
Vorwort 4
Chapter 1. Strahlenschäden in Halbleitern und Halbleiterbauelementen 6
Summary 6
1. Einführung 6
2. Zum Erzeugungsmechanismus von Gitterfehlstellen 8
3. Die Mikrostruktur der Strahlungsdefekte 14
4. Elektrische und optische Untersuchungen an bestrahlten Halbleitern 17
5. Strahlenschädigung von Halbleiterbauelementen 26
6. Tempereffekte an bestrahIten Halbleitern 39
Literatur 43
Chapter 2. Kristallzucht aus der Gasphase 47
Summary 47
1. Einleitung 47
2. Allgemeines zur Kristallzucht 49
3. Bildung fester Phasen aus Gasen 52
4. Kristallzucht aus gasförmigen Nährphasen 56
5. Schlußbemerkungen 76
Literatur 77
Chapter 3. Die Physik des photographischen Prozesses 79
Summary: Physical problems of the photographic process 79
I. Einleitung 79
II. Die Übertragungskette 80
III. Die Lichtstreuung in photographischen Schichten 80
IV. Zusammenhang zwischen Quantenempfindlichkeit der Halogensilberkristalle und Schwärzung der photographischen Schicht 89
V. Kristallstruktur photographischer Emulsionen 91
VI. Bindungsverhältnisse im Halogensilberkristall 97
VII. Elektrische Leitfähigkeit des Halogensilbers 99
VIII. Die Beteiligung von beweglichen (Photo-) Elektronen und (Zwischengitter-)Silberionen am photographischen Elementarprozeß 103
IX. Lichtabsorption, Bändermodell und Elektronenfallen 105
X. Randschichtprobleme am Kontakt AgBr/wässrige Lösung 109
XI. Die Chemische Reifung 115
XII. Spektrale Sensibilisierung 118
XIII. Solarisation 123
XIV. Reziprozitätsverhalten 124
XV. Doppelbelichtungseffekte 130
XVI. Mechanismus der photographischen Entwicklung 132
Literatur 135
Chapter 4. Zur Physik der Elektrophotographie 136
1. Einleitung 138
2. Aufladung 143
3. Entladung durch Belichtung 153
4. Entwicklungscharakteristik 167
5. Farbelektrophotographie 175
6. Ausblick 176
Literatur 178
Chapter 5. Der photokapazitive Effekt 180
1. Einleitung 180
2. Ursachen fur die photokapazitiven Effekte 181
3. Kriterien fur die Unterscheidung der Effekte 186
4. Historische Entwicklung der Arbeiten über photokapazitive Effekte 191
5. Neuere Untersuchungen an Il/VI-Photohalbleitern 202
6. Untersuchungen an anderen Substanzen 224
7. Photokapazitive Effekte in der Elektronik 228
8. Zusammenfassung 230
Literatur 231
Chapter 6. Neue Ergebnisse über Elektronentraps und „Tunnel-Nachleuchten" in ZnS 237
Allgemeine Vorbemerkungen über ZnS-Phosphore 237
Bisherige Ergebnisse über Traps in Phosphoren der ZnS-Gruppe 238
Neue Ergebnisse bei tiefer Temperatur (> 4,2 ° K)
Zeitliche Abklingung des Nachleuchtens bei festgehaltener Temperatur 249
Abhängigkeit der Einfangwahrscheinlichkeit durch Traps von der Temperatur 253
Beziehung des „Tunnel-Nachleuchtens" zum „Donor-Acceptor"-Modell der Lumineszenz 254
Literatur 257
Chapter 7. Ergebnisse und Mängel der heutigen Theorie der Supraleiter 2. Art 259
1. Einleitung 259
2. Grundlagen der Theorie der Supraleiter 2. Art 260
3. Vorhandene Ergebnisse 264
4. Möglichkeiten für weitere Ergebnisse 266
Literatur 268
Diffusion in Metallen und Halbleitern 269
Literatur 272
Chapter 8. Die Plastizität von Germanium und Silizium 273
Literatur 280
Chapter 9. The Influence of Electric and Magnetic Fields on the Transport Properties of Polyatomic Dilute Gases 281
A. General Introduction 281
B. Survey of the Theory 285
C. Survey of the Experiments 291
D. Information to be obtained 309
References 313

Erscheint lt. Verlag 11.9.2013
Sprache englisch
Themenwelt Naturwissenschaften Physik / Astronomie Elektrodynamik
Technik
ISBN-10 1-4831-4034-2 / 1483140342
ISBN-13 978-1-4831-4034-6 / 9781483140346
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