Applied Solid State Science (eBook)
404 Seiten
Elsevier Science (Verlag)
978-1-4832-1474-0 (ISBN)
Applied Solid State Science: Advances in Materials and Device Research, Volume 5 covers articles on devices made with Si, GaAs, and CdS and on the photoconductive insulators of the xerographic process. The book discusses design ideas and fabrication techniques that have raised the efficiency of microwave generators; as well as xerography and photoinduced discharge characteristics of photoconductive insulators. The text then describes a great variety of devices, both unipolar and dipolar, which make use of the advantages of ion implantation for introducing impurities into silicon in a most controllable manner. The progress made toward the goal of providing a low cost solar energy conversion device for terrestrial applications is also considered. The book further tackles high efficiency impatt diodes; the physics of xerographic photoreceptors; ion implantation in silicon; and cadmium sulfide solar cells. Solid state physicists, materials scientists, electrical engineers, and graduate students studying the subjects being discussed will find the book invaluable.
Front Cover 1
Applied Solid State Science: Advances in Materials and Device Research 4
Copyright Page 5
Table of Contents 6
LIST OP CONTRIBUTORS 8
PREFACE 10
ARTICLES PLANNED FOR FUTURE VOLUMES 12
Chapter 1. High Efficiency Impatt Diodes 14
I. Introduction 15
II. Qualitative Theory of High-Efficiency Impatt Diodes 19
III. Quantitative Discussions of Modified Read Impatt Designs 24
IV. Experimental Performance 35
V. Noise Properties and Parasitic Oscillations 44
VI. Fabrication 54
VII. Reliability 66
VIII. Performance Comparisons and Applications 74
ACKNOWLEDGMENTS 78
REFERENCES 78
Chapter 2. Physics of Xerographic Photoreceptors 82
I. General Introduction 82
II. Photoconductor Parameters 86
III. Experimental Techniques 90
IV. Theory of Photoinduced Discharge 96
V. Discussion of Experimental Results 139
VI. Conclusions 161
ACKNOWLEDGMENTS 162
REFERENCES 162
Chapter 3. Ion Implantation in Silicon—Physics, Processing, and Microelectronic Devices 164
I. Introduction 165
II. Ion Implantation—Range and Straggle 167
III. Damage 181
IV. Processing Considerations 195
V. Ion-Implanted Devices—p-n Junctions 202
VI. Ion-Implanted Devices—Field Effect Transistors 221
VII. Conclusion 249
ACKNOWLEDGMENTS 254
REFERENCES 254
Chapter 4. Cadmium Sulfide Solar Cells 264
I. Introduction 264
II. CdS–CuxS Photovoltaic Cell Structures 267
III. Thin Film Solar Cell Technology 281
IV. Properties of Cadmium Sulfide and Cuprous Sulfide Layers 312
V. Properties of CdS–CuxS Photovoltaic Cells 334
VI. Mechanisms of the CdS–CuxS Photovoltaic Cell 349
VII. Other Photovoltaic Effects in CdS 353
VIII. Conclusions 363
REFERENCES 365
AUTHOR INDEX 380
SUBJECT INDEX 396
CONTENTS OF PREVIOUS VOLUMES 404
Erscheint lt. Verlag | 22.10.2013 |
---|---|
Sprache | englisch |
Themenwelt | Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Elektrodynamik |
Technik | |
ISBN-10 | 1-4832-1474-5 / 1483214745 |
ISBN-13 | 978-1-4832-1474-0 / 9781483214740 |
Informationen gemäß Produktsicherheitsverordnung (GPSR) | |
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Größe: 42,8 MB
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