Ion Implantation and Synthesis of Materials - Michael Nastasi, James W. Mayer

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Ion Implantation and Synthesis of Materials (eBook)

Michael Nastasi, James W. Mayer (Autoren)

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2007 | 2006
XIV, 263 Seiten
Springer Berlin (Verlag)
978-3-540-45298-0 (ISBN)

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Ion implantation is one of the key processing steps in silicon integrated circuit technology. Some integrated circuits require up to 17 implantation steps and circuits are seldom processed with less than 10 implantation steps. Controlled doping at controlled depths is an essential feature of implantation. Ion beam processing can also be used to improve corrosion resistance, to harden surfaces, to reduce wear and, in general, to improve materials properties. This book presents the physics and materials science of ion implantation and ion beam modification of materials. It covers ion-solid interactions used to predict ion ranges, ion straggling and lattice disorder. Also treated are shallow-junction formation and slicing silicon with hydrogen ion beams. Topics important for materials modification, such as ion-beam mixing, stresses, and sputtering, are also described.

General Features and Fundamental Concepts.- Particle Interactions.- Dynamics of Binary Elastic Collisions.- Cross-Section.- Ion Stopping.- Ion Range and Range Distribution.- Displacements and Radiation Damage.- Channeling.- Doping, Diffusion and Defects in Ion-Implanted Si.- Crystallization and Regrowth of Amorphous Si.- Si Slicing and Layer Transfer: Ion-Cut.- Surface Erosion During Implantation: Sputtering.- Ion-Induced Atomic Intermixing at the Interface: Ion Beam Mixing.- Application of Ion Implantation Techniques in CMOS Fabrication.- Ion implantation in CMOS Technology: Machine Challenges.

Erscheint lt. Verlag	16.5.2007
Zusatzinfo	XIV, 263 p. 131 illus.
Verlagsort	Berlin
Sprache	englisch
Themenwelt	Naturwissenschaften ► Chemie
	Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Atom- / Kern- / Molekularphysik
	Technik ► Maschinenbau
Schlagworte	Crystal • Diffusion • Distribution • Doping • Implanted shallow junctions • ion implantation • Ion-modified materials • Ion ranges • Materials properties • Materials Science • Slicing silicon
ISBN-10	3-540-45298-2 / 3540452982
ISBN-13	978-3-540-45298-0 / 9783540452980

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Größe: 6,4 MB

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