Operation and Modelling of the Metal-oxide Semiconductor Transistor
Seiten
1999
|
International 2 Revised ed
McGraw-Hill Education (ISE Editions) (Verlag)
978-0-07-116791-8 (ISBN)
McGraw-Hill Education (ISE Editions) (Verlag)
978-0-07-116791-8 (ISBN)
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This edition has several improvements made to the content, organization and pedagogy. It introduces "Overview of the MOS Transistor" and has increased the number of examples featured. A chapter discussing CAD to take advantage of the widespread use of simulation software has also been added.
| Erscheint lt. Verlag | 1.4.1999 |
|---|---|
| Verlagsort | London |
| Sprache | englisch |
| Maße | 187 x 240 mm |
| Gewicht | 1028 g |
| Themenwelt | Informatik ► Weitere Themen ► CAD-Programme |
| Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik | |
| ISBN-10 | 0-07-116791-9 / 0071167919 |
| ISBN-13 | 978-0-07-116791-8 / 9780071167918 |
| Zustand | Neuware |
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