Rechnergestützter Entwurf hochintegrierter MOS-Schaltungen

1 Einleitung.- 2 Technologische Entwicklung.- 2.1 Ein kurzer Vergleich mit anderen Schaltungstechniken.- 2.2 Entwicklung der Integration von MOS-Schaltungen.- 2.3 Entwicklung der Entwurfsautomatisierung.- 3 MOS-Grundschaltungen.- 3.1 Elektrische Grundlagen.- 3.2 Der Feldeffekttransistor.- 3.3 Schaltungstechniken.- 3.4 nMOS-Schaltungen.- 3.5 CMOS-Schaltungen.- 3.6 Dynamische CMOS-Schaltungen.- 4 Entwurfsstil.- 4.1 Voll-kundenspezifische Schaltungen.- 4.2 Entwurf mit Zellen.- 4.3 Entwurf mit Arrays.- 4.4 Programmierbare Schaltungen.- 4.5 Vergleich.- 5 Einführung in die Entwurfsautomatisierung.- 5.1 Die Darstellungsbereiche.- 5.2 Die Entwurfsebenen.- 5.3 Die Entwurfsaufgaben.- 5.4 Realisierungstechnik.- 5.5 Operations-und Steuerwerk.- 6 Rechnerunterstützte Layout-Erstellung.- 6.1 Layout-Editoren und Datenstrukturen.- 6.2 Layout-Sprachen.- 6.3 Entwurfsregeln.- 6.4 Entwurfsregel-Überprüfung.- 6.5 Symbolisches Layout.- 6.6 Schaltungsextraktion.- 6.7 Überprüfung der elektrischen Regeln.- 6.8 Layout-Synthese.- 7 Masken-und Waferherstellung.- 7.1 Maskenherstellung.- 7.2 Waferherstellung.- 7.3 Der Polysffizium-Gate-nMOS-Prozeß.- 7.4 Der Silizium-Gate-CMOS-Prozeß.- 7.5 Ausbeute.- 7.6 Skalierungseffekte.