Compact Modeling (eBook)
XVII, 527 Seiten
Springer Netherlands (Verlag)
978-90-481-8614-3 (ISBN)
Most of the recent texts on compact modeling are limited to a particular class of semiconductor devices and do not provide comprehensive coverage of the field. Having a single comprehensive reference for the compact models of most commonly used semiconductor devices (both active and passive) represents a significant advantage for the reader. Indeed, several kinds of semiconductor devices are routinely encountered in a single IC design or in a single modeling support group. Compact Modeling includes mostly the material that after several years of IC design applications has been found both theoretically sound and practically significant. Assigning the individual chapters to the groups responsible for the definitive work on the subject assures the highest possible degree of expertise on each of the covered models.
Preface.
Part I. Compact Models of MOS Transistors. 1. Surface-Ppotential-Based Compact Model of Bulk MOSFET. 2. PSP-SOI: A Surface-Potential-Based Compact Model of SOI MOSFETs. 3. Benchmark Tests for MOSFET Compact Models . 4. High-Voltage MOSFET Modeling. 5. Physics of Noise Performance of Nanoscale Bulk MOS Transistors.
Part II Compact Models of Bipolar Junction Transistors. 6. Introduction to Bipolar Transistor Modeling. 7. Mextram. 8. The HiCuM Bipolar Transistor Model.
Part III. Compact Models of Passive Devices. 9. Integrated Resistor Modeling. 10. The JUNCAP2 Model for Junction Diodes. 11. Surface-Potential-Based MOS Varactor Model. 12. Modeling of On-chip RF Passive Components.
Part IV. Modeling of Multiple Gate MOSFETs. 13. Multi-Gate MOSFET Compact Model BSIM-MG. 14. Compact Modeling of Double-Gate and Nanowire MOSFETs.
Part V. Statistical Modeling. 15. Modeling of MOS Matching. 16. Statistical Modeling Using Backward Propagation of Variance (BPV).
Index.
Erscheint lt. Verlag | 22.6.2010 |
---|---|
Zusatzinfo | XVII, 527 p. |
Verlagsort | Dordrecht |
Sprache | englisch |
Themenwelt | Naturwissenschaften ► Chemie ► Analytische Chemie |
Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik | |
Technik ► Nachrichtentechnik | |
Schlagworte | bipolar junction transistor • bipolar power transistor • BJT • Compact models • field-effect transistor • Integrated circuit • Leistungsfeldeffekttransistor • Material • metal oxide semiconductur field-effect transistor • MOSFET • Physics • semiconductor • Transistor • Variability |
ISBN-10 | 90-481-8614-5 / 9048186145 |
ISBN-13 | 978-90-481-8614-3 / 9789048186143 |
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Größe: 11,1 MB
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