Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices - Yue Hao, Jin Feng Zhang, Jin Cheng Zhang

Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices

Buch | Hardcover
392 Seiten
2016
Crc Press Inc (Verlag)
978-1-4987-4512-3 (ISBN)
219,95 inkl. MwSt
This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs). The properties of nitride semiconductors make the material very suitable for electronic devices used in microwave power amplification, high-voltage switches, and high-speed digital integrated circuits.

Yue Hao, Jin Feng Zhang, and Jin Cheng Zhang are affiliated with Xidian University, China.

Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices

Erscheint lt. Verlag 1.11.2016
Zusatzinfo 30 Tables, black and white; 469 Illustrations, black and white
Verlagsort Bosa Roca
Sprache englisch
Maße 178 x 254 mm
Gewicht 884 g
Themenwelt Naturwissenschaften Physik / Astronomie Allgemeines / Lexika
Naturwissenschaften Physik / Astronomie Optik
Technik Elektrotechnik / Energietechnik
ISBN-10 1-4987-4512-1 / 1498745121
ISBN-13 978-1-4987-4512-3 / 9781498745123
Zustand Neuware
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