Technologie hochintegrierter Schaltungen

Buch | Hardcover
XX, 366 Seiten
1996 | 2. Aufl. 1996
Springer Berlin (Verlag)
978-3-540-59357-7 (ISBN)

Lese- und Medienproben

Technologie hochintegrierter Schaltungen - Dietrich Widmann, Hermann Mader, Hans Friedrich
159,99 inkl. MwSt

Im vorliegenden Buch wird die Technologie von hochintegrierten Schaltungen behandelt. Es werden zunächst sehr ausführlich und praxisnah die verschiedenen technologischen Verfahren und Einzelprozesse aus den Bereichen Lithographie, Schicht-, Ätz- und Dotiertechnik beschrieben. Danach folgen Beispiele für die Integration der Einzelprozesse zur Herstellung von CMOS-, Bipolar- und BICMOS-Schaltungen. Sowohl die Einzelprozesse als auch die Prozeßintegration sind anschaulich mit zahlreichen Bildern dargestellt. Das Buch vermittelt nicht nur eine gute Übersicht, sondern auch sehr detaillierte Informationen über den modernsten Stand der Technologie hochintegrierter Schaltungen, wie sie z.B. bei der Herstellung des dynamischen IMEGA-Bit-Speichers Anwendung findet. Darüber hinausgehende Entwicklungen, die in den Sub-Mikrometer-Bereich führen, werden ebenfalls beschrieben.

1 Einleitung.- 2 Grundzüge der Technologie von Integrierten Schaltungen.- Literatur zu Kapitel 2.- 3 Schichttechnik.- 3.1 Verfahren der Schichterzeugung.- 3.2 Die monokristalline Siliziumscheibe.- 3.3 Epitaxieschichten.- 3.4 Thermische SiO2-Schichten.- 3.5 Abgeschiedene SiO2-Schichten.- 3.6 Phosphorglasschichten.- 3.7 Siliziumnitridschichten.- 3.8 Polysiliziumschichten.- 3.9 Silizidschichten.- 3.10 Refraktär-Metallschichten.- 3.11 Aluminiumschichten.- 3.12 Organische Schichten.- 3.13 Literatur zu Kapitel 3.- 4 Lithographie.- 4.1 Strukturgröße, Lagefehler und Defekte.- 4.2 Photolithographie.- 4.3 Röntgenlithographie.- 4.4 Elektronenlithographie.- 4.5 Ionenlithographie.- 4.6 Strukturerzeugung ohne Lithographie.- 4.7 Literatur zu Kapitel 4.- 5 Ätztechnik.- 5.1 Naßätzen.- 5.2 Trockenätzen.- 5.3 Trockenätzprozesse.- 5.4 Literatur zu Kapitel 5.- 6 Dotiertechnik.- 6.1 Thermische Dotierung.- 6.2 Dotierung mittels Ionenimplantation.- 6.3 Aktivierung und Diffusion von Dotieratomen.- 6.4 Diffusion von nichtdotierenden Stoffen.- 6.5 Literatur zu Kapitel 6.- 7 Reinigungstechnik.- 7.1 Verunreinigungen und ihre Auswirkungen.- 7.2 Reine Räume, Materialien und Prozesse.- 7.3 Scheibenreinigung.- 7.4 Literatur zu Kapitel 7.- 8 Prozeßintegration.- 8.1 Die verschiedenen MOS- und Bipolar-Technologien.- 8.2 Architektur der Gesamtprozesse.- 8.3 Transistoren in Integrierten Schaltungen.- 8.4 Speicherzellen.- 8.5 Mehrlagenmetallisierung.- 8.6 Detaillierte Prozeßfolge ausgewählter Gesamtprozesse.- 8.7 Literatur zu Kapitel 8.

Erscheint lt. Verlag 3.5.1996
Reihe/Serie Halbleiter-Elektronik
Zusatzinfo XX, 366 S.
Verlagsort Berlin
Sprache deutsch
Maße 155 x 235 mm
Gewicht 675 g
Themenwelt Technik Elektrotechnik / Energietechnik
Technik Maschinenbau
Schlagworte Bauelement • Dotierung • Elektrik • Elektronen • Höchstfrequenz • Integrierter Schaltkreis • Integrierte Schaltung • Integrierte Schaltung (IC) • Kondensator • Kristallstruktur • Leitfähigkeit • Prozessoptimierung • RAM • Schaltung • Silizium • Transistor • Wafer
ISBN-10 3-540-59357-8 / 3540593578
ISBN-13 978-3-540-59357-7 / 9783540593577
Zustand Neuware
Haben Sie eine Frage zum Produkt?
Mehr entdecken
aus dem Bereich
Wegweiser für Elektrofachkräfte

von Gerhard Kiefer; Herbert Schmolke; Karsten Callondann

Buch | Hardcover (2024)
VDE VERLAG
48,00