Semiconductors
Springer Berlin (Verlag)
978-3-540-53150-0 (ISBN)
Contents: Part A: Introduction: General remarks.- Physical quantities tabulated in this volume.- Part B: Physical data: Elements of the IVth group and the IV-IV compounds: Diamond (C).- Silicon (Si).- Germanium (Ge).- Grey tin ( Sn).- Silicon carbide (SiC).- Silicon germanium alloys (SixGe1-x).- III-V compounds: Boron nitride (BN).- Boron phosphide (BP).- Boron arsenide (BAs).- Aluminium nitride (AlN).- Aluminium phosphide (AlP).- Aluminium arsenide (AlAs).- Aluminium antimonide (AlSb).- Gallium nitride (GaN).- Gallium phosphide (GaP).- Gallium arsenide (GaAs).- Gallium antimonide (GaSb).- Indium nitride (InN).- Indium phosphide (InP).- Indium arsenide (InAs).- Indium antimonide (InSb).- Ternary and quaterny alloys between III-V compounds.- Appendix: Contents of the volumes of the New Series of Landolt-Börnstein dealing with group IV and group III-V semiconductors.
Erscheint lt. Verlag | 18.3.1991 |
---|---|
Reihe/Serie | Data in Science and Technology |
Zusatzinfo | VII, 164 p. |
Verlagsort | Berlin |
Sprache | englisch |
Maße | 210 x 279 mm |
Gewicht | 402 g |
Themenwelt | Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Allgemeines / Lexika |
Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik | |
Technik ► Maschinenbau | |
Schlagworte | Data in Science and Technology • defects • Electronic • elektronische, Gitter-, Transport-, optische Eigen • elektronische, Gitter-, Transport-, optische Eigenschaften • Halbleiter • Halbleiter-Physik • impurities and defects • lattice • optical properties • semiconductor • Transport • Verunreinigung und Defekte |
ISBN-10 | 3-540-53150-5 / 3540531505 |
ISBN-13 | 978-3-540-53150-0 / 9783540531500 |
Zustand | Neuware |
Haben Sie eine Frage zum Produkt? |
aus dem Bereich