FinFETs and Other Multi-Gate Transistors (eBook)
XV, 340 Seiten
Springer US (Verlag)
978-0-387-71752-4 (ISBN)
This book explains the physics and properties of multi-gate field-effect transistors (MuGFETs), how they are made and how circuit designers can use them to improve the performances of integrated circuits. It covers the emergence of quantum effects due to the reduced size of the devices and describes the evolution of the MOS transistor from classical structures to SOI (silicon-on-insulator) and then to MuGFETs.
FinFETs and Other Multi-Gate Transistors provides a comprehensive description of the physics, technology and circuit applications of multigate field-effect transistors (FETs). It explains the physics and properties of these devices, how they are fabricated and how circuit designers can use them to improve the performances of integrated circuits. The International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) recognizes the importance of these devices and places them in the "e;Advanced non-classical CMOS devices"e; category. Of all the existing multigate devices, the FinFET is the most widely known.FinFETs and Other Multi-Gate Transistors is dedicated to the different facets of multigate FET technology and is written by leading experts in the field.
Preface 6
Table of Content 9
Contributors 14
1 The SOI MOSFET: from Single Gate to Multigate 15
1.1 MOSFET Scaling and Moore’s Law 15
1.2 Short-Channel Effects 16
1.3 Gate Geometry and Electrostatic Integrity 18
1.4 A Brief History of Multiple-Gate MOSFETs 22
1.5 Multigate MOSFET Physics 31
References 51
2 Multigate MOSFET Technology 63
2.1 Introduction 63
2.2 Active Area: Fins 66
2.3 Gate Stack 84
2.4 Source/Drain Resistance and Capacitance 99
2.5 Mobility and Strain Engineering 105
2.6 Contacts to the Fins 112
Acknowledgments 114
References 115
3 BSIM-CMG: A Compact Model for Multi-Gate Transistors 126
3.1 Introduction 126
3.2 Framework for Multigate FET Modeling 127
3.3 Multigate Models: BSIM-CMG and BSIM-IMG 128
3.4 BSIM-CMG 130
3.5 The BSIM-IMG Model 160
3.6 Summary 164
References 164
4 Physics of the Multigate MOS System 167
4.1 Device electrostatics 167
4.2 Double gate MOS system 175
4.3 Two-dimensional confinement 196
References 197
5 Mobility in Multigate MOSFETs 202
5.1 Introduction 202
5.2 Double-Gate MOSFETs and FinFETs 203
5.3 Silicon multiple-gate nanowires 244
References 258
6 Radiation Effects in Advanced Single- and Multi-Gate SOI MOSFETs 268
6.1 A brief history of radiation effects in SOI 268
6.2 Total lonizing dose effects 270
6.3 Single-event effects 282
References 298
7 Multi-Gate MOSFET Circuit Design 303
7.1 Introduction 303
7.2 Digital Circuit Design 304
7.3 Analog Circuit Design 325
7.4 SoC Design and Technology Aspects 341
Acknowledgments 342
References 343
Index 346
Erscheint lt. Verlag | 17.10.2007 |
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Reihe/Serie | Integrated Circuits and Systems | Integrated Circuits and Systems |
Zusatzinfo | XV, 340 p. |
Verlagsort | New York |
Sprache | englisch |
Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
Schlagworte | Circuit • CMOS • Colinge • Design • Electronics • field-effect transistor • FinFET • FinFETs • Integrated circuit • Integrated Circuits • Leistungsfeldeffekttransistor • microelectronics • Model • MOSFET • MOS Transistors • MuGFETs • multi-gate field-effect transistors • Multi-Gate Transistors • Physics • semiconductor • semiconductors • silicon chips • Silicon-on-insulator • SOI • Technology • Transistor |
ISBN-10 | 0-387-71752-8 / 0387717528 |
ISBN-13 | 978-0-387-71752-4 / 9780387717524 |
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Größe: 10,3 MB
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