Ferroelectric Memories
Springer Berlin (Verlag)
978-3-642-08565-9 (ISBN)
The book gives a comprehensive introduction to the field by an established expert on ferroelectric memories
1. Introduction.- 2. Basic Properties of RAMs (Random Access Memories).- 3. Electrical Breakdown (DRAMs and NV-RAMs).- 4. Leakage Currents.- 5. Capacitance-Voltage Data: C(V).- 6. Switching Kinetics.- 7. Charge Injection and Fatigue.- 8. Frequency Dependence.- 9. Phase Sequences in Processing.- 10. SBT-Family Aurivillius-Phase Layer Structures.- 11. Deposition and Processing.- 12. Nondestructive Read-Out Devices.- 13. Ferroelectrics-on-Superconductor Devices: Phased-Array Radar and 10-100 GHz Devices.- 14. Wafer Bonding.- 15. Electron-Emission and Flat-Panel Displays.- 16. Optical Devices.- 17. Nanophase Devices.- 18. Drawbacks and Disadvantages.- A. Exercises.
Erscheint lt. Verlag | 15.12.2010 |
---|---|
Reihe/Serie | Springer Series in Advanced Microelectronics |
Zusatzinfo | XVI, 248 p. 95 illus. |
Verlagsort | Berlin |
Sprache | englisch |
Maße | 155 x 235 mm |
Gewicht | 405 g |
Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
Technik ► Maschinenbau | |
Schlagworte | Ceramics • Ferroelectrics • Memories • Non-volatille • Physics • RAM • Random Access Memory • Thin Films |
ISBN-10 | 3-642-08565-2 / 3642085652 |
ISBN-13 | 978-3-642-08565-9 / 9783642085659 |
Zustand | Neuware |
Haben Sie eine Frage zum Produkt? |
aus dem Bereich