Feature Profile Evolution in Plasma Processing Using On-wafer Monitoring System (eBook)
VIII, 40 Seiten
Springer Japan (Verlag)
978-4-431-54795-2 (ISBN)
This book provides for the first time a good understanding of the etching profile technologies that do not disturb the plasma. Three types of sensors are introduced: on-wafer UV sensors, on-wafer charge-up sensors and on-wafer sheath-shape sensors in the plasma processing and prediction system of real etching profiles based on monitoring data. Readers are made familiar with these sensors, which can measure real plasma process surface conditions such as defect generations due to UV-irradiation, ion flight direction due to charge-up voltage in high-aspect ratio structures and ion sheath conditions at the plasma/surface interface. The plasma etching profile realistically predicted by a computer simulation based on output data from these sensors is described.
Prof. Seiji Samukawa
Distinguished Professor in Tohoku University
Professor in Institute of Fluid Science,
Professor and Principal Investigator, WPI-AIMR in Tohoku University.
This book provides for the first time a good understanding of the etching profile technologies that do not disturb the plasma. Three types of sensors are introduced: on-wafer UV sensors, on-wafer charge-up sensors and on-wafer sheath-shape sensors in the plasma processing and prediction system of real etching profiles based on monitoring data. Readers are made familiar with these sensors, which can measure real plasma process surface conditions such as defect generations due to UV-irradiation, ion flight direction due to charge-up voltage in high-aspect ratio structures and ion sheath conditions at the plasma/surface interface. The plasma etching profile realistically predicted by a computer simulation based on output data from these sensors is described.
Prof. Seiji Samukawa Distinguished Professor in Tohoku University Professor in Institute of Fluid Science, Professor and Principal Investigator, WPI-AIMR in Tohoku University.
Introduction.- Background.- On-wafer monitoring technique.- On-wafer UV sensor and prediction of UV irradiation damage.- Introduction.- Prediction system for UV spectrum.- Prediction system for UV-radiation damage in dielectric films.- Prediction of Abnormal Etching Profile in High-Aspect-Ratio Via/Hole Etching Using On-Wafer Monitoring System.- Introduction.- Ion-trajectory prediction.- Twisting prediction.- Feature Profile Evolution in Plasma Processing using Wireless On-wafer Monitoring System.- Introduction.- Experimental Results and Discussion.- Conclusions.
| Erscheint lt. Verlag | 28.1.2014 |
|---|---|
| Reihe/Serie | SpringerBriefs in Applied Sciences and Technology | SpringerBriefs in Applied Sciences and Technology |
| Zusatzinfo | VIII, 40 p. 35 illus., 30 illus. in color. |
| Verlagsort | Tokyo |
| Sprache | englisch |
| Themenwelt | Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Plasmaphysik |
| Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik | |
| Schlagworte | Etching Profile • On-wafer Monitoring Technique • On-wafer UV Sensor • Ultralarge-scale integrated circuit (ULSI) |
| ISBN-10 | 4-431-54795-9 / 4431547959 |
| ISBN-13 | 978-4-431-54795-2 / 9784431547952 |
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